[发明专利]具有连续电荷储存介电堆栈的非挥发存储阵列

权利要求书

1.一种集成电路装置，包括：

一集成电路包括一非挥发存储单元阵列，该集成电路包含：

一基板；

多条字符线存取该非挥发存储单元阵列；

多条位线存取该非挥发存储单元阵列；

一介电堆栈层位于该基板之上，该非挥发存储单元阵列储存非挥发数据于由该多条字符线与该多条位线所存取的该介电堆栈层位置上，该介电堆栈层在一平面区域上是连续的，该平面区域包括由该多条字符线与该多条位线所存取的所述位置；以及

布植区域于该基板的该介电堆栈层之下，该布植区域是介于所述介电堆栈层位置之间。

2.如权利要求1所述的集成电路装置，其中该非挥发存储单元阵列可以承受至少十万次程序化-擦除循环，使得该非挥发存储单元阵列历经十万次程序化-擦除循环之后，该非挥发存储单元阵列一程序化状态的一临界电压的变异不大于0.3V。

3.如权利要求1所述的集成电路装置，其中该非挥发存储单元阵列可以承受至少十万次程序化-擦除循环，使得该非挥发存储单元阵列历经十万次程序化-擦除循环之后，该非挥发存储单元阵列的一自我提升干扰区间至少为4V。

4.如权利要求1所述的集成电路装置，其中该非挥发存储单元阵列安排成多个与非门行。

5.如权利要求1所述的集成电路装置，其中该介电堆栈层连续的部分阻挡自该基板向外扩散的氢。

6.如权利要求1所述的集成电路装置，其中该布植区域具有接面深度小于通道长度，其中在该布植区域的接面深度处具有与一背景浓度相同的浓度。

7.如权利要求1所述的集成电路装置，其中该介电堆栈层包含：

一隧穿介电层与该多条字符线的一字符线和该基板的一通道表面的一种连接；

一电荷捕捉介电层介于该隧穿介电层与该多条字符线的该字符线和该基板的该通道表面的另一种之间；

一阻挡介电层位于该电荷捕捉介电层与该多条字符线的该字符线和该基板的该通道表面的该另一种之间。

8.如权利要求1所述的集成电路装置，其中该介电堆栈层包含：

一隧穿介电层与该多条字符线的一字符线和该基板的一通道表面的一种连接，该隧穿介电层包含：

一第一氧化硅层具有一小于等于15埃的厚度；

一氮化硅层具有一小于等于30埃的厚度；以及

一第二氧化硅层具有一小于等于35埃的厚度；

一电荷捕捉介电层介于该隧穿介电层与该多条字符线的该字符线和该基板的该通道表面的另一种之间；

一阻挡介电层位于该电荷捕捉介电层与该多条字符线的该字符线和该基板的该通道表面的该另一种之间。

9.一种形成一存储集成电路的方法，该方法包括：

提供该存储集成电路的一基板；

形成一介电堆栈层于该基板之上：

形成多条字符线于该介电堆栈层之上；以及

布植通过该介电堆栈层以形成接面，使得所述接面是形成于该介电堆栈层一连续的部分之下，

其中该存储集成电路具有一非挥发存储单元阵列储存非挥发数据于该介电堆栈层位置上，所述位置安排成由多条位线所存取的行及由该多条字符线所存取的列，其中该介电堆栈层该连续的部分延伸在一平面区域上，该平面区域包括由该多条字符线与该多条位线所存取的该非挥发存储单元阵列的所述位置。

10.如权利要求9所述的形成一存储集成电路的方法，其中该非挥发存储单元阵列可以承受至少十万次程序化-擦除循环，使得该非挥发存储单元阵列历经十万次程序化-擦除循环之后，该非挥发存储单元阵列一程序化状态的一临界电压的变异不大于0.3V。

11.如权利要求9所述的形成一存储集成电路的方法，其中该非挥发存储单元阵列可以承受至少十万次程序化-擦除循环，使得该非挥发存储单元阵列历经十万次程序化-擦除循环之后，该非挥发存储单元阵列的一自我提升干扰区间至少为4V。

12.如权利要求9所述的形成一存储集成电路的方法，其中该布植具有一至少为20keV的布植能量。

13.如权利要求9所述的形成一存储集成电路的方法，其中该布植具有一小于10E14cm^-2的布植剂量。