[发明专利]应用于超薄晶片背面处理工艺的方法

权利要求书

1.一种应用于超薄晶片背面处理工艺的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

将晶片作半切割；

将半切割后的晶片转移到包括环和带的支撑结构上；

研磨晶片背面以分离芯片；和

处理芯片的背面。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该方法进一步包括在晶片背面处理工艺之后拾取芯片。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该方法进一步包括将处理后的芯片器件正面朝上地转移到分离带上并且拾取芯片。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中所述晶片背面处理工艺包括从由离子注入，退火，刻蚀，溅射和蒸发组成的组合中选择的处理工艺。

5.一种应用于超薄晶片背面处理工艺的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

将晶片作半切割；

研磨晶片背面以分离芯片；

将多个芯片转移到包括环和带的支撑结构上；和

处理芯片背面。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，该方法进一步包括在晶片背面处理工艺步骤之后拾取芯片。

7.如权利要求5所述的方法，其特征在于，该方法进一步包括将处理后的芯片器件正面朝上地转移到分离带上并且拾取芯片。

8.如权利要求5所述的方法，其特征在于，其中所述晶片背面处理工艺包括从由离子注入，退火，刻蚀，溅射和蒸发组成的组合中选择的处理工艺。

9.一种在芯片的侧壁上淀积金属的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

将多个芯片安装到包括环和带的支撑结构上；

将金属淀积到该多个芯片的背面和侧壁上。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，其中所述多个芯片在所述支撑结构上实施研磨方法之前通过切割而形成。

11.如权利要求9所述的方法，其特征在于，其中所述多个芯片在所述带上实施研磨方法之前通过切割而形成，所述带随后被安装到环上以形成支撑结构。

12.如权利要求9所述的方法，其特征在于，其中晶片在分离带上被分离为多个芯片之后，所述多个芯片被安装到带上并且该带被安装到环上以形成支撑结构。

13.如权利要求9所述的方法，其特征在于，该方法进一步包括在安装到环上的步骤之前延展黏附有芯片的带。

14.如权利要求9所述的方法，其特征在于，该方法进一步包括在淀积步骤期间将所述带夹持到具有曲面的结构上。

15.如权利要求14所述的方法，其特征在于，其中所述带被夹持，使所述多个芯片被设置在所述结构的凸表面上。

16.一种通过如权利要求9所述的方法形成的在背面和侧壁上带有金属的芯片。