[发明专利]应用于超薄晶片背面处理工艺的方法

说明书

本案是分案申请

原案发明名称：应用于超薄晶片背面处理工艺的方法和装置

原案申请号：200810082659.0

原案申请日：2008年2月26日

技术领域

本发明涉及晶片处理工艺，更具体地涉及应用于超薄晶片背面处理工艺的方法。

背景技术

几个因素正在驱动芯片朝尺寸小于4密耳(mil)的更薄趋势发展。这样的超薄芯片通常导致更低的衬底电阻，允许芯片的堆叠满足封装的厚度要求，以及在高电压应用时避免昂贵的厚外延层。

常规上，临时的支撑衬底或载体通常能通过粘性层粘附到器件晶片的正面以便于晶片背面的研磨，以及后继的薄晶片处理和背面处理。所述载体可以是虚拟的硅晶片，玻璃晶片，聚合物或聚合物基复合衬底或者厚带。刚性载体有助于在处理和制造工艺期间减小晶片翘曲和防止晶片破损。但是，载体的去除通常涉及复杂的操作，因此导致产量降低同时仍存在晶片破损的风险。

采用另一种方法，一个刚性的边缘环形成在薄晶片的外围以便于薄晶片的处理和制造工艺。该环的获得可以通过在晶片背面的刻蚀或机械研磨的同时不触及晶片的外围，或者通过在薄晶片的外围黏附一个辅助环。但是，该方法在晶片减薄和/或边缘环去除期间同样存在产量降低的缺点，并且还具有有效面积减少(因为一部分晶片面积被用于所述外围圆周区域)的缺点。

发明内容

本发明的目的在于提供一种应用于超薄晶片背面处理工艺的方法，其能在提高产量同时降低晶片破损的风险；本方法还提供2至4mil厚度的薄晶片，并且成本低廉；进一步，本方法还提供高晶片面积使用率。

根据本发明的一个方面，应用于超薄晶片背面处理工艺的方法包括以下步骤：将环和晶片安装到高温研磨和切割带上，晶片正面黏附到该带上；研磨晶片背面；诸如离子注入，退火，刻蚀和金属化的晶片背面处理工艺；然后是晶片切割。

根据本发明的另一个方面，应用于晶片背面处理工艺的支撑结构包括环和由该环支撑的带，以及能黏附到该带上的所述环内的晶片。

根据本发明的又一个方面，应用于超薄晶片背面处理工艺的方法包括以下步骤：将晶片作半切割；将半切割后的晶片转移到由环支撑的带上；背面研磨晶片从而分离芯片；然后是诸如离子注入，退火，刻蚀和金属化的背面处理工艺。

根据本发明的又一个方面，在芯片的侧壁淀积金属的方法包括以下步骤；在由环支撑的带上形成或安装多个芯片；和将金属淀积到多个芯片的背面和侧壁上。

为了下文对本发明的详细描述能够被更好地理解，还为了本发明对本技术领域的贡献能够被更好地评估，上文概括并宽泛地说明了本发明的较重要的特征。当然，下文还将叙述本发明的其他特征，这些其他特征也将形成本文附后的权利要求的主题内容。

有关这一方面，在对本发明的至少一个实施例进行详细解释之前应该理解的是，本发明在其应用中不局限于下文阐明的或附图图示的功能性元件的具体细节和这些元件的配置。本发明可以有其他的实施例并且可以用多种方式实施和进行。还应该理解的是，本文和摘要中使用的措辞和术语是为了描述的目的而不应被认为是对本发明的限制。

同样，本技术领域的熟练人员将理解，本发明所基于的概念也能容易地被用作实行本发明的多个目的的其他方法和系统的设计基础。因此，最重要的是，权利要求被认为包括所有这样的未背离本发明的精神和范围的等效结构。

附图说明

图1是根据本发明的用于超薄晶片背面处理工艺的装置的顶视平面图；

图2是图1所示装置的侧视图；

图3是根据本发明的用于超薄晶片背面处理工艺的方法的流程图；

图4是根据本发明的用于超薄晶片背面处理工艺的另一种方法的流程图；

图5是根据本发明的安装到带上的具有金属化的背面和侧壁的芯片的示意图；

图6是根据本发明的具有金属化的背面和侧壁的芯片的示意图；

图7是具有安装在其上的图1的装置的形式的示意图；

图8是显示根据本发明的倒装到印刷电路板上的图6的芯片的示意图；

图9是显示根据本发明的安装到印刷电路板上以及焊料回流后的图6的芯片的示意图。

具体实施方式