[发明专利]多晶硅刻蚀方法

权利要求书

1.一种多晶硅刻蚀方法，包括：

提供具有第一区域和第二区域的晶片，所述第一区域形成有第一多晶硅层，所述第二区域形成有第二多晶硅层，所述第一多晶硅层包括非掺杂层以及位于所述非掺杂层上的掺杂层；

在所述第一多晶硅层和第二多晶硅层上形成图案化光阻层；

执行第一刻蚀步骤，以去除未被所述图案化光阻层覆盖的部分第一多晶硅层和部分第二多晶硅层；

执行第二刻蚀步骤，以去除未被所述图案化光阻层覆盖的剩余的第一多晶硅层和剩余的第二多晶硅层；

其特征在于，在所述第一刻蚀步骤中，未被所述图案化光阻层覆盖的掺杂层被完全去除。

2.如权利要求1所述的多晶硅刻蚀方法，其特征在于，所述第一刻蚀步骤持续的时间根据所述晶片的掺杂层的厚度与选定的刻蚀速率计算获得。

3.如权利要求2所述的多晶硅刻蚀方法，其特征在于，所述晶片的掺杂层的厚度利用以下步骤获得：

提供具有第三区域和第四区域的试片，所述第三区域形成有第三多晶硅层，所述第四区域形成有第四多晶硅层，所述第三多晶硅层包括试片非掺杂层以及位于该试片非掺杂层上的试片掺杂层；

在所述第三多晶硅层和第四多晶硅层上形成图案化光阻层；

执行主刻蚀步骤，以去除未被所述图案化光阻层覆盖的部分试片掺杂层和部分第四多晶硅层；

执行软着陆刻蚀步骤，以去除未被所述图案化光阻层覆盖的剩余的第三多晶硅层和剩余的第四多晶硅层；

对所述试片进行切片分析，并根据所述切片分析结果确定所述试片掺杂层的厚度，进而确定所述晶片的掺杂层的厚度。

4.如权利要求3所述的多晶硅刻蚀方法，其特征在于，所述第一刻蚀步骤所使用的刻蚀气体包括氯气、四氟化碳、氧气以及溴化氢。

5.如权利要求4所述的多晶硅刻蚀方法，其特征在于，所述主刻蚀步骤所使用的刻蚀气体包括氯气、四氟化碳、氧气以及溴化氢。

6.如权利要求3所述的多晶硅刻蚀方法，其特征在于，所述第二刻蚀步骤所使用的刻蚀气体包括二氧化氦、氦气以及溴化氢。

7.如权利要求6所述的多晶硅刻蚀方法，其特征在于，所述软着陆刻蚀步骤所使用的刻蚀气体包括二氧化氦、氦气以及溴化氢。

8.如权利要求1至7中任意一项所述的多晶硅刻蚀方法，其特征在于，所述掺杂层掺入了N型杂质。

9.如权利要求8所述的多晶硅刻蚀方法，其特征在于，所述第二多晶硅层未掺入杂质。