[发明专利]立方相氧锌镁单晶薄膜的生长制备方法

权利要求书

1.立方相氧锌镁单晶薄膜的生长制备方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：

1)清洗衬底：(a)、蓝宝石衬底的清洗，首先用三氯乙烯、丙酮、乙醇、去离子水超声清洗15分钟，去掉表面的油污，然后在硫酸∶磷酸＝3∶1的混合液中加热煮沸15分钟，得到清洁的表面，最后用去离子水冲净并用高纯氮气吹干；(b)、氧化镁衬底的清洗，首先用三氯乙烯、丙酮、乙醇、去离子水超声清洗15分钟，去掉表面的油污，然后用高纯氮气吹干；

2)启动循环水、氮气纯化器、高频加热炉、半导体冷阱和恒温水浴槽的电源；

3)采用二甲基二茂镁作为镁源，利用恒温水浴槽将源温控制在40℃～50℃范围内；利用二乙基锌作为锌源，半导体冷阱源温控制为-5℃；

4)采用经氮气纯化器纯化后的高纯氮气作为载气，控制管路压力为2×10⁵Pa；通过流量计控制Ⅱ族、Ⅵ族载气的摩尔流量分别为0.07mol/min、0.05mol/min，生长室压力控制由一台压力控制器和机械泵来完成，生长室压力在2×10⁴Pa；

5)启动高频炉调节高压输出，控制生长温度在280℃～450℃；

6)打开镁源、锌源的源瓶进出口阀门，调节镁源的流量计，使其摩尔流量为18～40μmol/min；调节锌源的流量计，使其摩尔流量为0.45～3μmol/min；以高纯氧气为氧源，压力为3×10⁵Pa，调节氧气流量计，使其摩尔流量控制在0.07mol/min；

7)打开镁源、锌源以及氧气R阀，开始生长，生长时间控制在150分钟；

8)生长结束后，关闭镁源、锌源的源瓶进出口阀门，关闭氧气阀门，待衬底温度降到室温，取出样品，则完成立方相氧锌镁单晶薄膜的生长制备。

2.根据权利要求1所述的立方相氧锌镁单晶薄膜的生长制备方法，其特征在于，所述单晶薄膜的厚度在700-800nm之间。