[发明专利]VDMOS器件版图结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201010173133.0 | 申请日： | 2010-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN101901804A | 公开（公告）日： | 2010-12-01 |
| 发明（设计）人： | 刘宗贺;黄益中;罗添耀;陈家生;王磊;康鹏飞;王定宁;张海涛;罗鑫;陈奔;王晓杰;吴建清 | 申请（专利权）人： | 深圳深爱半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/04 | 分类号： | H01L27/04;H01L29/06;H01L21/77 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 吴平 |
| 地址： | 518029 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | vdmos 器件 版图 结构 及其 制作方法 | ||
1.一种垂直双扩散金属氧化物半导体器件版图结构，包括衬底、衬底上的外延层以及外延层上注入形成的P+区域，其特征在于，所述P+区域呈网络结构且全部相互连接。
2.根据权利要求1所述的垂直双扩散金属氧化物半导体器件版图结构，其特征在于，所述P+区域为条形结构P+区域。
3.根据权利要求2所述的垂直双扩散金属氧化物半导体器件版图结构，其特征在于，所述条形结构P+区域通过平行和垂直分布，全部连接呈网络结构。
4.根据权利要求1所述的垂直双扩散金属氧化物半导体器件版图结构，其特征在于，还包括在所述外延层表面的栅氧化层，栅氧化层上的多晶硅层，多晶硅层表面的保护层以及保护层上的电极。
5.一种垂直双扩散金属氧化物半导体器件版图结构制作方法，包括如下步骤：
在衬底上形成外延层；
在外延层上生长氧化层；
对氧化层进行光刻，刻蚀出一个全部连接的呈网络结构的刻蚀区域；
对外延层进行P+注入，形成全部连接的呈网络结构的P+区域。
6.根据权利要求5所述的垂直双扩散金属氧化物半导体器件版图结构制作方法，其特征在于，所述P+区域为条形结构P+区域。
7.根据权利要求6所述的垂直双扩散金属氧化物半导体器件版图结构制作方法，其特征在于，所述条形结构P+区域通过平行和垂直分布，全部连接呈网络结构。
8.根据权利要求5所述的垂直双扩散金属氧化物半导体器件版图结构制作方法，其特征在于，还包括进行后续工艺的步骤；所述后续工艺包括在外延层上形成栅氧化层，在栅氧化层上形成多晶硅层，多在晶硅层表面形成保护层以及在保护层上形成电极。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
