[发明专利]VDMOS器件版图结构及其制作方法

说明书

【技术领域】

本发明涉及半导体领域，尤其涉及一种垂直双扩散金属氧化物半导体(VDMOS)器件版图结构及其制作方法。

【背景技术】

传统技术，在VDMOS器件的P+二极管的版图结构设计中，元胞结构有方型，多边形以及条形的结构。常见的方型以及多边形的元胞结构P+二极管区域都是孤立的单元，条形结构中也有很多的P+条形区域在P+版图中与其它的P+区域是不连接在一起的孤立单元。

由于VDMOS器件中存在孤立的P+二极管结构单元，当VDMOS器件承受反向能量时，孤立的P+二极管结构单独承受的很大反向能量，但由于其承受能力有限，当有反向电流流经VDMOS器件P+区域时，孤立的P+二极管结构很容易烧毁，导致整个器件损坏，从而影响器件的稳定工作，造成浪费和安全隐患。

【发明内容】

有鉴于此，有必要针对上述VDMOS器件承受反向能量时容易烧毁损坏的问题，提出一种承受反向能量时不易烧毁损坏的VDMOS器件版图结构。

一种垂直双扩散金属氧化物半导体器件版图结构，包括衬底、衬底上的外延层以及外延层上注入形成的P+区域，所述P+区域呈网络结构且全部相互连接。

优选的，所述P+区域为条形结构P+区域。

优选的，所述条形结构P+区域通过平行和垂直分布，全部连接呈网络结构。

优选的，还包括在所述外延层表面的栅氧化层，栅氧化层上的多晶硅层，多晶硅层表面的保护层以及保护层上的电极。

一种垂直双扩散金属氧化物半导体器件版图结构制作方法，包括如下步骤：

在衬底上形成外延层；

在外延层上生长氧化层；

对氧化层进行光刻，刻蚀出一个全部连接的呈网络结构的刻蚀区域；

对外延层进行P+注入，形成全部连接的呈网络结构的P+区域。

优选的，所述P+区域为条形结构P+区域。

优选的，所述条形结构P+区域通过平行和垂直分布，全部连接呈网络结构。

优选的，还包括进行后续工艺的步骤；所述后续工艺包括在外延层上形成栅氧化层，在栅氧化层上形成多晶硅层，多在晶硅层表面形成保护层以及在保护层上形成电极。

上述VDMOS器件版图结构及其制作方法，P+区域为全部连接的网络结构的区域，不存在孤立的P+区域，从而使得该版图结构中，所有P+二极管结构单元存在于一个全部连接的网络结构中。当有器件承受反向能量时，没有孤立的P+二极管，反向能量由网络结构连接的所有P+二极管共同承受，从而大大提高了器件的抗反向冲击能力，保护器件，使器件不易烧毁损坏，减少器件的损坏率，大大提高了器件的安全性能，避免浪费，节约了成本。

【附图说明】

图1是一个实施例中VDMOS器件版图结构的剖面图；

图2是一个实施例中VDMOS器件版图结构的俯视图；

图3是一个是实施例中VDMOS器件版图结构制作方法的流程图。

【具体实施方式】

下面结合附图，对本发明的具体实施方式进行详细描述。

图1是一个实施例中VDMOS器件版图结构的剖面图。图2是一个实施例中VDMOS器件版图结构的俯视图。

结合图1和图2，该VDMOS器件版图结构包括衬底110、衬底110上的外延层120，在外延层120上注入形成的P+区域130以及外延层120表面的栅氧化层(图未示)，栅氧化层上的多晶硅层，多晶硅层表面的保护层，以及保护层上的电极。

P+区域130为全部连接的呈网络结构的区域，不存在孤立的P+区域130，从而使得该版图结构中，所有P+二极管结构单元存在于一个全部连接的网络结构中。

该实施例中，P+区域130在外延层120上注入形成时，为条形结构。在终端210中，各个条形的P+区域130通过平行和垂直分布，形成全部连接的一个网络结构。

在其他实施例中，P+区域130还可为圆形结构或者多边形结构，各个圆形结构或者多边形结构的P+区域130全部连接，形成网络结构。

此外，还提供一种VDMOS器件版图结构的制作方法。

图3是一个是实施例中VDMOS器件版图结构制作方法的流程图，该方法包括如下步骤：

S31：在衬底上形成外延层。

S32：在外延层上生长氧化层。

S33：对氧化层进行光刻，刻蚀出一个全部连接的网络结构的刻蚀区域。

S34：对外延层进行P+注入，形成全部连接的网络结构的P+区域。