[发明专利]SOI横向MOSFET器件有效
申请号: | 201010173833.X | 申请日: | 2010-05-17 |
公开(公告)号: | CN101840935A | 公开(公告)日: | 2010-09-22 |
发明(设计)人: | 罗小蓉;弗罗林·乌德雷亚 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H01L29/78 | 分类号: | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/43;H01L27/12 |
代理公司: | 成都虹桥专利事务所 51124 | 代理人: | 李顺德 |
地址: | 610054 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | soi 横向 mosfet 器件 | ||
1.SOI横向MOSFET器件,包括纵向自下而上的衬底层、介质埋层和有源层,所述有源层中形成槽栅,所述槽栅由栅介质及其包围的导电材料构成,所述导电材料引出端为槽栅电极;其特征在于,所述槽栅纵向长度穿过有源层直到介质埋层;在槽栅一侧的有源层表面具有体区和漏区,所述体区和漏区之间有间距,所述漏区引出端为漏电极;所述体区的表面顺次是源区a,体接触区,源区b;所述源区a、源区b和体接触区的共同引出端为源电极;所述槽栅与体区和源区a接触;源区b和漏区之间形成介质槽,所述介质槽与源区b和体区接触,所述介质槽中介质的介电系数小于有源层材料的介电系数,所述介质槽纵向深度大于体区纵向深度且小于有源层的厚度;所述介质槽中由导电材料形成埋栅,所述埋栅靠近源区b,且被介质槽中介质包围,所述埋栅深度小于介质槽深度,所述埋栅深度≥所述体区深度,所述埋栅引出端为埋栅电极,所述埋栅电极与槽栅电极电气连接,其共同引出端为栅电极。
2.根据权利要求1所述的SOI横向MOSFET器件,其特征在于,所述SOI横向MOSFET器件为对称结构,所述漏区位于器件中心,由中心漏区向外依次是介质槽、源区b、体接触区、源区a和槽栅,槽栅位于器件外围。
3.根据权利要求2所述SOI横向MOSFET器件,其特征在于,所述SOI横向MOSFET器件为面对称结构,平分漏区且不穿过介质槽和栅槽的平面为其对称面。
4.根据权利要求1所述的SOI横向MOSFET器件,其特征在于,所述SOI横向MOSFET器件为轴对称结构,过漏区中心的纵轴为其对称轴。
5.根据权利要求1~4任意一项所述的SOI横向MOSFET器件,其特征在于,所述栅介质纵向成上薄下厚的结构。
6.根据权利要求1~5任意一项所述的SOI横向MOSFET器件,其特征在于,所述介质槽共有n条,n≥2,每条介质槽之间有间距;埋栅位于与体区接触的介质槽中。
7.根据权利要求6所述的SOI横向MOSFET器件,其特征在于,所述介质槽之间的有源层材料导电类型相同或不同。
8.根据权利要求6所述的SOI横向MOSFET器件,其特征在于,所述介质槽纵向深度,横向宽度及间距相等或不相等。
9.根据权利要求6所述的SOI横向MOSFET器件,其特征在于,所述介质槽的条数大于3时,中间的介质槽深度大于两侧介质槽深度。
10.根据权利要求1~9任意一项所述的SOI横向MOSFET器件,其特征在于,所述漏区与介质槽接触或不接触。
11.根据权利要求1~10任意一项所述的SOI横向MOSFET器件,其特征在于,所述SOI横向MOSFET器件用于集成电路的有源器件。
12.根据权利要求11所述的SOI横向MOSFET器件,其特征在于,所述集成电路为功率集成电路或射频功率集成电路。
13.根据权利要求1~12任意一项所述的SOI横向MOSFET器件,其特征在于,所述有源层材料包括但不限于Si、SiC、SiGe、GaAs或GaN。
14.根据权利要求13所述的SOI横向MOSFET器件,其特征在于,所述有源层材料为Si,所述介质槽中介质为SiO2,或介电系数低于SiO2且临界击穿电场高于Si 临界击穿电场3倍的介质:包括但不限于SiOF、CDO或SiCOF。
15.根据权利要求13所述的SOI横向MOSFET器件,其特征在于,所述有源层材料为Si,所述栅介质为SiO2;或介电系数高于SiO2的介质:包括但不限于Si3N4、Al2O3、AlN或HfO2。
16.根据权利要求13所述的SOI横向MOSFET器件,其特征在于,所述有源层材料为Si,所述介质埋层材料为SiO2;或介电系数低于SiO2且临界击穿电场高于Si临界击穿电场3倍的介质:包括但不限于SiOF、CDO或SiCOF。
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