[发明专利]SOI横向MOSFET器件有效

专利信息
申请号: 201010173833.X 申请日: 2010-05-17
公开(公告)号: CN101840935A 公开(公告)日: 2010-09-22
发明(设计)人: 罗小蓉;弗罗林·乌德雷亚 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H01L29/78 分类号: H01L29/78;H01L29/423;H01L29/43;H01L27/12
代理公司: 成都虹桥专利事务所 51124 代理人: 李顺德
地址: 610054 四川*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: soi 横向 mosfet 器件
【权利要求书】:

1.SOI横向MOSFET器件,包括纵向自下而上的衬底层、介质埋层和有源层,所述有源层中形成槽栅,所述槽栅由栅介质及其包围的导电材料构成,所述导电材料引出端为槽栅电极;其特征在于,所述槽栅纵向长度穿过有源层直到介质埋层;在槽栅一侧的有源层表面具有体区和漏区,所述体区和漏区之间有间距,所述漏区引出端为漏电极;所述体区的表面顺次是源区a,体接触区,源区b;所述源区a、源区b和体接触区的共同引出端为源电极;所述槽栅与体区和源区a接触;源区b和漏区之间形成介质槽,所述介质槽与源区b和体区接触,所述介质槽中介质的介电系数小于有源层材料的介电系数,所述介质槽纵向深度大于体区纵向深度且小于有源层的厚度;所述介质槽中由导电材料形成埋栅,所述埋栅靠近源区b,且被介质槽中介质包围,所述埋栅深度小于介质槽深度,所述埋栅深度≥所述体区深度,所述埋栅引出端为埋栅电极,所述埋栅电极与槽栅电极电气连接,其共同引出端为栅电极。

2.根据权利要求1所述的SOI横向MOSFET器件,其特征在于,所述SOI横向MOSFET器件为对称结构,所述漏区位于器件中心,由中心漏区向外依次是介质槽、源区b、体接触区、源区a和槽栅,槽栅位于器件外围。

3.根据权利要求2所述SOI横向MOSFET器件,其特征在于,所述SOI横向MOSFET器件为面对称结构,平分漏区且不穿过介质槽和栅槽的平面为其对称面。

4.根据权利要求1所述的SOI横向MOSFET器件,其特征在于,所述SOI横向MOSFET器件为轴对称结构,过漏区中心的纵轴为其对称轴。

5.根据权利要求1~4任意一项所述的SOI横向MOSFET器件,其特征在于,所述栅介质纵向成上薄下厚的结构。

6.根据权利要求1~5任意一项所述的SOI横向MOSFET器件,其特征在于,所述介质槽共有n条,n≥2,每条介质槽之间有间距;埋栅位于与体区接触的介质槽中。

7.根据权利要求6所述的SOI横向MOSFET器件,其特征在于,所述介质槽之间的有源层材料导电类型相同或不同。

8.根据权利要求6所述的SOI横向MOSFET器件,其特征在于,所述介质槽纵向深度,横向宽度及间距相等或不相等。

9.根据权利要求6所述的SOI横向MOSFET器件,其特征在于,所述介质槽的条数大于3时,中间的介质槽深度大于两侧介质槽深度。

10.根据权利要求1~9任意一项所述的SOI横向MOSFET器件,其特征在于,所述漏区与介质槽接触或不接触。

11.根据权利要求1~10任意一项所述的SOI横向MOSFET器件,其特征在于,所述SOI横向MOSFET器件用于集成电路的有源器件。

12.根据权利要求11所述的SOI横向MOSFET器件,其特征在于,所述集成电路为功率集成电路或射频功率集成电路。

13.根据权利要求1~12任意一项所述的SOI横向MOSFET器件,其特征在于,所述有源层材料包括但不限于Si、SiC、SiGe、GaAs或GaN。

14.根据权利要求13所述的SOI横向MOSFET器件,其特征在于,所述有源层材料为Si,所述介质槽中介质为SiO2,或介电系数低于SiO2且临界击穿电场高于Si 临界击穿电场3倍的介质:包括但不限于SiOF、CDO或SiCOF。

15.根据权利要求13所述的SOI横向MOSFET器件,其特征在于,所述有源层材料为Si,所述栅介质为SiO2;或介电系数高于SiO2的介质:包括但不限于Si3N4、Al2O3、AlN或HfO2

16.根据权利要求13所述的SOI横向MOSFET器件,其特征在于,所述有源层材料为Si,所述介质埋层材料为SiO2;或介电系数低于SiO2且临界击穿电场高于Si临界击穿电场3倍的介质:包括但不限于SiOF、CDO或SiCOF。

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