[发明专利]一种接触孔、半导体器件和二者的形成方法

权利要求书

1.一种接触孔的形成方法，其特征在于，包括：

在衬底上形成栅极、侧墙、牺牲侧墙、源区和漏区，所述侧墙环绕所述栅极，所述牺牲侧墙覆盖所述侧墙，所述源区和漏区嵌于所述衬底内并位于所述栅极的两侧；

形成层间介质层，并使所述层间介质层暴露所述栅极、侧墙和牺牲侧墙；

去除所述牺牲侧墙，以形成接触空间，所述牺牲侧墙材料与所述栅极、侧墙和层间介质层的材料不同；

形成导电层，所述导电层填充所述接触空间；

断开所述导电层，以形成至少两个导电体，各所述导电体分别接于所述源区或漏区。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在形成所述牺牲侧墙和层间介质层的步骤之间，还包括：

形成辅助侧墙，所述辅助侧墙覆盖所述牺牲侧墙的侧面，所述辅助侧墙材料与所述牺牲侧墙和层间介质层的材料不同。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述侧墙包括侧墙基层和主侧墙，所述主侧墙材料与所述牺牲侧墙材料不同，在所述主侧墙和所述栅极的侧面之间夹有所述侧墙基层时，在形成所述导电层后，所述方法还包括：

去除所述主侧墙，以形成调整空间；

形成介质层，所述介质层填充所述调整空间。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于：所述辅助侧墙材料与所述主侧墙材料相同。

5.一种接触孔的形成方法，其特征在于，包括：

在衬底上形成沿第一方向延伸的栅极基体、侧墙和牺牲侧墙，所述侧墙覆盖所述栅极基体中相对的侧面，所述牺牲侧墙覆盖所述侧墙；

形成层间介质层，并使所述层间介质层暴露所述栅极基体、侧墙和牺牲侧墙；

去除所述牺牲侧墙，以形成接触空间，所述牺牲侧墙材料与所述栅极基体、侧墙和层间介质层的材料不同；

形成导电层，所述导电层填充所述接触空间；

利用所述栅极基体形成栅极，并沿第二方向切割所述栅极和所述导电层，所述第二方向异于所述第一方向。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在形成所述牺牲侧墙和层间介质层的步骤之间，还包括：

形成辅助侧墙，所述辅助侧墙覆盖所述牺牲侧墙的侧面，所述辅助侧墙材料与所述牺牲侧墙和层间介质层的材料不同。

7.根据权利要求5或6所述的方法，其特征在于，所述侧墙包括侧墙基层和主侧墙，所述主侧墙材料与所述牺牲侧墙材料不同，在所述主侧墙和所述栅极的侧面之间夹有所述侧墙基层时，在形成所述导电层后，所述方法还包括：

去除所述主侧墙，以形成调整空间；

形成介质层，所述介质层填充所述调整空间。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于：所述辅助侧墙材料与所述主侧墙材料相同。

9.一种半导体器件的形成方法，包括：

在衬底上形成栅极和侧墙；

在形成有栅极和侧墙的所述衬底上形成接触孔；

其特征在于：采用如权利要求1至8所述的方法形成所述接触孔。

10.一种接触孔，所述接触孔和栅极、侧墙均形成于衬底上并嵌入层间介质层中，其特征在于：所述接触孔的侧面接于所述侧墙。

11.根据权利要求10所述的接触孔，其特征在于：在所述层间介质层中嵌有辅助侧墙时，所述辅助侧墙材料与所述层间介质层的材料不同，所述接触孔中与和所述侧墙相接的侧面相对的侧面接于所述辅助侧墙。

12.根据权利要求10或11所述的接触孔，其特征在于：在所述侧墙包括侧墙基层和主侧墙时，所述侧墙基层夹于所述主侧墙和所述栅极之间，所述主侧墙的材料与所述侧墙基层的材料不同，而与所述层间介质层的材料相同。

13.一种半导体器件，其特征在于：所述半导体器件包括权利要求10至12所述的接触孔。

14.根据权利要求13所述的半导体器件，其特征在于：所述栅极包括第一部分和第二部分，所述第二部分位于所述第一部分上，且所述第二部分的材料与所述接触孔的材料相同。