[发明专利]一种接触孔、半导体器件和二者的形成方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体来说，涉及一种接触孔、半导体器件和二者的形成方法。

背景技术

随着半导体器件临界尺寸的逐渐减小，各种微观效应开始显现，半导体器件的制造工艺变得越来越复杂，优化半导体器件的性能也越来越困难。复杂的制造工艺需要更多的掩模版及多步光刻工艺，而如何改进接触孔的制造工艺成为优化半导体器件性能时颇具挑战性和实际意义的研究方向。

具体地，现有的接触孔的形成方法包括：如图1所示，在衬底10上形成栅极14和侧墙16，所述栅极14经由栅介质层12形成于所述衬底10上，所述侧墙16覆盖所述栅极14中相对的侧面，继而形成源漏区(图未示)和硅化物接触区18；如图2所示，形成层间介质层20，并使所述层间介质层20暴露所述栅极14和侧墙16；如图3所示，利用掩模，刻蚀所述层间介质层20，以形成所述接触孔30。

可见，在利用上述方法刻蚀所述层间介质层20，以形成所述接触孔30时，必然需要一道掩模，但是，随着接触孔30尺寸的减小，应用所述掩模未必会获得满足工艺要求的接触孔30，即，此道掩模未必会实现其应有的效用，因此，如何去除此道掩模而形成接触孔成为本发明解决的主要问题。

发明内容

为了解决上述问题，本发明提供了一种接触孔及所述接触孔的形成方法，利于减少在形成所述接触孔的过程中应用掩模的数目；本发明还提供了一种半导体器件及所述半导体器件的形成方法，在形成所述半导体器件的过程中应用掩模的数目有所减少。

本发明提供的一种接触孔的形成方法，包括：

在衬底上形成栅极、侧墙、牺牲侧墙、源区和漏区，所述侧墙环绕所述栅极，所述牺牲侧墙覆盖所述侧墙，所述源区和漏区嵌于所述衬底内并位于所述栅极的两侧；

形成层间介质层，并使所述层间介质层暴露所述栅极、侧墙和牺牲侧墙；

去除所述牺牲侧墙，以形成接触空间，所述牺牲侧墙材料与所述栅极、侧墙和层间介质层的材料不同；

形成导电层，所述导电层填充所述接触空间；

断开所述导电层，以形成至少两个导电体，各所述导电体分别接于所述源区或漏区。

可选地，在形成所述牺牲侧墙和层间介质层的步骤之间，还包括：

形成辅助侧墙，所述辅助侧墙覆盖所述牺牲侧墙的侧面，所述辅助侧墙材料与所述牺牲侧墙和层间介质层的材料不同。

可选地，所述侧墙包括侧墙基层和主侧墙，所述主侧墙材料与所述牺牲侧墙材料不同，在所述主侧墙和所述栅极的侧面之间夹有所述侧墙基层时，在形成所述导电层后，所述方法还包括：

去除所述主侧墙，以形成调整空间；

形成介质层，所述介质层填充所述调整空间。

可选地，所述辅助侧墙材料与所述主侧墙材料相同。

本发明提供的一种接触孔的形成方法，包括：

在衬底上形成沿第一方向延伸的栅极基体、侧墙和牺牲侧墙，所述侧墙覆盖所述栅极基体中相对的侧面，所述牺牲侧墙覆盖所述侧墙；

形成层间介质层，并使所述层间介质层暴露所述栅极基体、侧墙和牺牲侧墙；

去除所述牺牲侧墙，以形成接触空间，所述牺牲侧墙材料与所述栅极基体、侧墙和层间介质层的材料不同；

形成导电层，所述导电层填充所述接触空间；

利用所述栅极基体形成栅极，并沿第二方向切割所述栅极和所述导电层，所述第二方向异于所述第一方向。

可选地，在形成所述牺牲侧墙和层间介质层的步骤之间，还包括：

形成辅助侧墙，所述辅助侧墙覆盖所述牺牲侧墙的侧面，所述辅助侧墙材料与所述牺牲侧墙和层间介质层的材料不同。

可选地，所述侧墙包括侧墙基层和主侧墙，所述主侧墙材料与所述牺牲侧墙材料不同，在所述主侧墙和所述栅极的侧面之间夹有所述侧墙基层时，在形成所述导电层后，所述方法还包括：

去除所述主侧墙，以形成调整空间；

形成介质层，所述介质层填充所述调整空间。

可选地，所述辅助侧墙材料与所述主侧墙材料相同。

本发明提供的一种半导体器件的形成方法，包括：

在衬底上形成栅极和侧墙；

在形成有栅极和侧墙的所述衬底上形成接触孔；

采用上述的方法形成所述接触孔。

本发明提供的一种接触孔，所述接触孔和栅极、侧墙均形成于衬底上并嵌入层间介质层中，所述接触孔的侧面接于所述侧墙。