[发明专利]固体电解电容器元件及固体电解电容器有效
申请号: | 201010176689.5 | 申请日: | 2010-05-13 |
公开(公告)号: | CN101887807A | 公开(公告)日: | 2010-11-17 |
发明(设计)人: | 齐田义弘;河边功 | 申请(专利权)人: | 株式会社村田制作所 |
主分类号: | H01G9/15 | 分类号: | H01G9/15;H01G9/025 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 张宝荣 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固体 电解电容器 元件 | ||
技术领域
本发明涉及一种将导电性聚合物作为固体电解质层使用的固体电解电容器。
背景技术
固体电解电容器通常如下构成:通过蚀刻将由铝等阀作用金属形成的阳极的表面粗面化,形成微米级的微孔来扩大表面积,在其上利用化成工序形成电介质氧化膜(以下有时简称为电介质膜),进而在其与阳极部之间经由隔板(绝缘体层)浸渍固体电解质,在其上形成由碳糊剂、含金属导电性糊形成的阴极导电层后,焊接在作为外部电极的引线架上,形成环氧树脂等外包装部。
使用导电性聚合物作为固体电解质的固体电解电容器由于相比以二氧化锰等作为固体电解质的固体电解电容器可以减小等效串联电阻(以下简称为ESR。)及泄漏电流,作为可以对应电子设备的高性能化、小型化的电容器是有用的,因此提案有许多制造方法。特别是近年来,安装在个人计算机上的CPU(Central Processing Unit)一直在追求高性能化,对低ESR化的要求愈渐强烈。
作为实现低ESR的方法,除了使用提高导电性的糊剂的方法以外,提案有各种各样的方法。如举其一例,公开有将层合成的元件整体用Ag糊剂一体化而覆盖的方法(专利文献1:日本特开2007-5354号公报),但存在使用大量昂贵的银的问题。另外,公开有在植设有阳极引脚的烧结体中,在植设有引脚的烧结体的面上用银糊剂覆盖的方法(专利文献2:日本特开平6-140291号公报,专利文献3:日本特开2000-340460号公报)。该方法与专利文献1相比虽然是经济的方法,但相比以往必须重新用银糊剂覆盖很大的面积,另外,向对水平面覆盖糊剂时,容易覆盖不必要的厚的银糊剂,存在不经济等问题。
另外,在将铝的蚀刻箔用于阀作用金属的固体电解电容器元件中,公开有由于与阳极引脚不同而具有复杂的多孔结构,因此不优选越过分离阳极和阴极的绝缘体层和固体电解质层的边界形成银糊剂层(专利文献4:日本专利第3314480号公报)。即,公开有由于在固体电解质层和绝缘体层的界面的不连续部分渗入构成银糊剂层的材料而与作为电解质的阳极氧化膜直接接触,因此给固体电解电容器的耐压特性或泄漏电流特性带来很大影响,这成为增大不良率及故障率的重要原因之一。
【现有文献】
【专利文献】
【专利文献1】日本特开2007-5354号公报
【专利文献2】日本特开平6-140291号公报
【专利文献3】日本特开2000-340460号公报
【专利文献4】日本专利第3314480号公报
发明内容
对于具有多孔结构的阀作用金属的箔或烧结体而言,多孔层内具有复杂的结构。为了制作该固体电解电容器元件,需要分离阳极和阴极。为具行多孔结构的阀作用金属的情况下,阳极和阴极的分离通常通过在阀作用的表面及多孔层内部填充绝缘性树脂来实施。然而,由于多孔层内为错综复杂的结构,因此覆盖电解质氧化膜的绝缘体层及固体电解质层的界面也为复杂的结构,由于在用绝缘性树脂填充多孔层内后在由其剩余部分形成的阀作用金属表面的绝缘层的边界和多孔层内的边界存在不均匀,因此ESR不稳定,并且还存在因用于焊接的回流加热导致泄漏电流容易增加这样的问题。
因而,本发明的目的在于,解决这些问题,用不会大幅度增加含昂贵金属糊剂的用量而经济的方法,提供泄漏电流不良少的低ESR的固体电解电容器。
本发明人等鉴于上述课题经过专心研究,结果发现,通过设定为(1)将固体电解质层设定为覆盖在分离阳极和阴极的阀作用金属的外表面形成的绝缘体层的一部分的形态、且(2)将高导电性糊剂设定为按照空间上越过形成于分离阳极和阴极的阀作用金属的外表面的绝缘体层的阴极部的边界方式,进行涂布的形态的结构,可使ESR下降,而且不会增加固体电解电容器的泄漏电流不良,从而完成了本发明。
即,本发明提供以下的固体电解电容器元件及固体电解电容器。[1]一种固体电解电容器元件,其特征在于,在形成于具有微孔的阀作用金属表面的电介质氧化膜上设置有包含导电性聚合物的固体电解质层,在碳糊剂层及高导电性糊剂层重叠形成于固体电解质层的表面的电容器元件的截而中,固体电解质层覆盖分离阴极和阳极的绝缘体层的阴极侧的外表面的一部分,并且,在该固体电解质的表面形成有高导电性糊剂层,该高导电糊剂层形成至在水平方向上的空间上越过该绝缘体层的阴极部的边界的位置。
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