[发明专利]一种LED引线框架及其电镀方法和电镀设备

说明书

技术领域

本发明涉及一种LED引线框架，并与该LED引线框架的电镀方法及设备有关。

背景技术

现有技术中，LED引线框架的结构如图1、图2和图3所示，整个引线框架100全部镀银200。

配合图4所示，其电镀时工艺流程如下：化学除油→电解除油→水洗→酸洗→水洗→镀铜→水洗→全部电镀银(或全部电镀银→功能区局部电镀银)→银回收→水洗→退镀→水洗→中和→水洗→热水洗→烘干，其中全部电镀为整个引线框架全部镀银。

工艺流程中每一步的作用如下：

化学除油和电解除油都是为了去除LED引线框架上的油脂。

水洗有两个作用，第一、清洗LED引线框架，第二、清洗残留在LED引线框架的前道药水，保证后道药水不受污染。水洗的次数可以为一次或者多次。

酸洗是中和电解除油残留在LED框架上面的除油液，活化LED引线框架表面，使电镀银层与框架结合力更牢。酸洗的次数可以为一次或者二次。

镀铜为提高银层与铜层结合力，并提高铜层表面的平整度。

全部镀银是在框架表面全部电镀上银。如图3，LED引线框架双面都全部电镀上银。

功能区(含芯片放置区)局部镀银是在框架正面功能区部分局部电镀银，加厚银层，使功能区部分银层厚度符合客户要求。

银回收是为了回收残留在LED引线框架的镀银药水，并能清洗引线框架。

退镀是对银层表面进行抛光，使银层表面的光亮度符合客户的要求。

中和是中和残留在LED引线框架的退镀药水。

热水洗是彻底清洗LED引线框架表面，保证框架清洁。

采用现有方法电镀，整个引线框架都电镀上银，非功能区(边框)也电镀上银，如果没有功能区局部电镀银工序而仅采用全部电镀银的话，边框镀银厚度会与功能区一样厚，而且，为了保证芯片放置区的镀银厚度，整个功能区镀银厚度又与芯片放置区一样，如此一来，造成银的利用率很低，生产成本高。同时银层和塑料之间的结合力小，在客户封装时可能造成银层与塑料之间分层，影响LED产品的品质。

有鉴于此，本发明人针对现有LED引线框架的电镀工艺进行改进，遂有本案产生。

发明内容

本发明的目的在于提供一种LED引线框架及其电镀方法和电镀设备，以有效利用金属银，降低成本，提高塑料与引线框架的结合力，达到防分层目的。

为了实现上述目的，本发明的技术方案如下：

一种LED引线框架，分为边框、功能区和芯片放置区三个部分，整个引线框架上形成防置换保护膜，整个功能区上经选择电镀银形成一次镀银层，芯片放置区上再经局部电镀银形成二次镀银层，使芯片放置区的镀银层比周围功能区的镀银层厚，边框上形成防铜氧化有机保护膜。

一种LED引线框架的电镀方法，其工艺流程如下：

首先，电镀前表面处理，化学除油→电解除油→水洗→酸洗→水洗→镀铜→水洗→防置换处理→水洗；

然后，进行电镀处理，背面功能区选择电镀银→正面功能区选择电镀银→芯片放置区局部电镀银，或者正面功能区选择电镀银→背面功能区选择电镀银→芯片放置区局部电镀银，或者正面和背面双面一次性功能区选择电镀银→芯片放置区局部电镀银；

最后，电镀后处理，银回收→水洗→退镀→水洗→中和→水洗→防铜氧化处理→水洗→热水洗→烘干。

所述防置换处理是采用防置换药水，在LED引线框架的铜基材表面形成一层防置换保护膜，使引线框架在镀银或银回收过程中，不带电时，不与电镀液发生置换反应，提高银层结合力。具体工艺参数在室温下，对应电镀液中银(Ag)浓度为1.0～10.0g/l，导电盐浓度为5～25g/l时，防置换药水浓度为10～50ml/l。

所述背面功能区选择电镀银、正面功能区选择电镀银、芯片放置区局部电镀银或正面和背面双面一次性功能区选择电镀银都是利用两个模具将引线框架夹紧，只暴露出需要电镀银的部位，在模具夹紧的状态下，在暴露的部位进行电镀。

所述防铜氧化处理是在铜层表面形成一层有机保护膜，使铜层暴露在空气中不被氧化。具体工艺是，在室温下，采用铜保护药水，浓度为10-50ml/l，在铜层表面形成一层有机保护膜。