[发明专利]一种冶金级硅中磷和硼的去除方法有效

专利信息
申请号: 201010177776.2 申请日: 2010-05-20
公开(公告)号: CN101844768A 公开(公告)日: 2010-09-29
发明(设计)人: 陈朝;何发林;陈文辉;庞爱锁;罗学涛 申请(专利权)人: 厦门大学
主分类号: C01B33/037 分类号: C01B33/037
代理公司: 厦门南强之路专利事务所 35200 代理人: 马应森
地址: 361005 *** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 一种 冶金 级硅中磷 去除 方法
【权利要求书】:

1.一种冶金级硅中磷和硼的去除方法,其特征在于包括以下步骤:

1)造渣:

(1)将块状硅料装入熔炼炉中熔炼,再将造渣剂覆盖在块状硅料上,得硅块混料;

(2)对熔炼炉抽真空,当真空抽至800~1200Pa时停止抽气,再充氩气至8000~12000Pa后停止充氩气;

(3)将硅块混料加热融化,通入水蒸气,再将熔化的混料浇注在熔炼坩埚下方的承接石墨坩埚上,冷却后,取出硅料;

2)酸洗:

(1)将造渣后的硅料破碎磨粉,得硅粉;

(2)将硅粉用盐酸浸泡;

(3)将盐酸浸泡后的硅粉用稀王水浸泡;

(4)将稀王水浸泡后的硅粉用氢氟酸浸泡,得已去除磷和硼的冶金级硅。

2.如权利要求1所述的一种冶金级硅中磷和硼的去除方法,其特征在于在造渣步骤的步骤(1)中,所述熔炼炉采用真空中频感应熔炼炉。

3.如权利要求1所述的一种冶金级硅中磷和硼的去除方法,其特征在于在造渣步骤的步骤(1)中,所述造渣剂为CaO-SiO2-CaF2体系,按质量比,造渣剂与块状硅料的配比为0.2~2。

4.如权利要求3所述的一种冶金级硅中磷和硼的去除方法,其特征在于所述CaO-SiO2-CaF2体系的组成及其按质量百分比为氧化钙10%~40%,氟化钙5%~20%,余为二氧化硅。

5.如权利要求1所述的一种冶金级硅中磷和硼的去除方法,其特征在于在造渣步骤的步骤(3)中,所述将硅块混料加热融化,是采用中频加热装置将硅块混料加热融化,加热温度为1500~1700℃。

6.如权利要求1所述的一种冶金级硅中磷和硼的去除方法,其特征在于在造渣步骤的步骤(3)中,所述通入水蒸气,是利用氩气为载体,将水蒸气通入到熔融的液体中;按体积比,氩气∶水蒸气=1∶(0.1~1),流量为0.5~3L/min,通入水蒸气的时间为0.5~5h。

7.如权利要求1所述的一种冶金级硅中磷和硼的去除方法,其特征在于在酸洗步骤的步骤(1)中,所述将造渣后的硅料破碎磨粉,是过100~150目筛。

8.如权利要求1所述的一种冶金级硅中磷和硼的去除方法,其特征在于在酸洗步骤的步骤(2)中,所述盐酸的摩尔浓度为1~6mol/L,所述浸泡的温度为40~100℃,浸泡的时间为5~24h;浸泡后用去离子水冲洗。

9.如权利要求1所述的一种冶金级硅中磷和硼的去除方法,其特征在于在酸洗步骤的步骤(3)中,所述稀王水,是在王水中加入1~5倍王水体积的水;所述浸泡的温度为50~100℃,浸泡的时间为5~24h;浸泡后用去离子水冲洗。

10.如权利要求1所述的一种冶金级硅中磷和硼的去除方法,其特征在于在酸洗步骤的步骤(4)中,所述稀王水,是在王水中加入1~5倍王水体积的水;所述氢氟酸的摩尔浓度为1~15mol/L;所述浸泡的温度为40~100℃,浸泡的时间为5~24h;所述硅粉用氢氟酸浸泡后再加入氢氟酸体积20%的氨水,浸泡后用去离子水冲洗。

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