[发明专利]半导体制冷器件无效
| 申请号： | 201010180493.3 | 申请日： | 2010-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN102255037A | 公开（公告）日： | 2011-11-23 |
| 发明（设计）人： | 吴荣钢 | 申请（专利权）人： | 上海科伟低压电器厂 |
| 主分类号： | H01L35/28 | 分类号： | H01L35/28;H01L35/16;H01L35/34;F25B21/02 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201703 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 制冷 器件 | ||
1.一种半导体制冷器件，其特征在于，包括：单晶硅(01)、碲化钕化合层(02)及矾化铊化合层(03)；所述的单晶硅(01)呈薄片状，单晶硅(01)表面设有一层保护层，通过高纯度的碲化钕的化合物及高纯度的矾化铊的化合物分别在单晶硅(01)的两侧进行二次或多次掺杂，形成所述的碲化钕化合层(02)及矾化铊化合层(03)，形成一个PN结。
2.根据权利要求1所述的半导体制冷器件，其特征在于：所述的单晶硅(01)的纯度大于等于99.95％。
3.根据权利要求1所述的半导体制冷器件，其特征在于：所述的碲化钕的纯度大于等于99.99％。
4.根据权利要求1所述的半导体制冷器件，其特征在于：所述的碲化钕化合层(02)在单晶硅(01)的一侧掺杂的厚度为单晶硅(01)的厚度的49.999％-50％，且掺杂的浓度为35％-48％，形成的所述的碲化钕化合层(02)作为半导体制冷器件的P型半导体。
5.根据权利要求1所述的半导体制冷器件，其特征在于：所述的矾化铊的纯度大于等于99.99％。
6.根据权利要求1所述的半导体制冷器件，其特征在于：所述的矾化铊化合层(03)在单晶硅(01)的另一侧掺杂的厚度为单晶硅(01)的厚度的49.999％-50％，且掺杂的浓度为35％-48％，形成的所述的矾化铊化合层(03)作为半导体制冷器件的N型半导体。
7.一种权利要求1所述的半导体制冷器件的掺杂方法，其特征在于：该方法至少包括如下步骤：
步骤1，在单晶硅(01)的两侧表面注入杂质离子；
步骤2，在单晶硅(01)的两侧表面进行退火，同时将杂质离子在单晶硅(01)内再分布，恢复单晶硅(01)因高能离子束撞击导致的晶格损伤。
8.根据权利要求7所述的半导体制冷器件的掺杂方法，其特征在于：所述的步骤1中还包括：
步骤1.1，在单晶硅(01)的掺杂面上，杂质离子注入单晶硅(01)的本体中；
步骤1.2，在非掺杂面上，杂质离子被单晶硅(01)的表面的保护层屏蔽。
9.根据权利要求7所述的半导体制冷器件的掺杂方法，其特征在于：所述的步骤1中退火的温度范围为950℃-1050℃；退火的时间范围为25分钟-35分钟。
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