[发明专利]一种用于超薄晶圆工艺的管芯贴片方法有效
申请号: | 201010180659.1 | 申请日: | 2010-05-06 |
公开(公告)号: | CN102237286A | 公开(公告)日: | 2011-11-09 |
发明(设计)人: | 黄平;吴瑞生;陈益;段磊;陈伟;鲍利华 | 申请(专利权)人: | 万国半导体(开曼)股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/58 | 分类号: | H01L21/58;H01L21/78 |
代理公司: | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人: | 王敏杰 |
地址: | 英属西印度群岛开曼群岛大开曼岛K*** | 国省代码: | 开曼群岛;KY |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 超薄 工艺 管芯 方法 | ||
1.一种用于超薄晶圆工艺的管芯贴片方法,其特征在于,包括如下步骤:
提供一晶圆,所述晶圆包含晶圆正面和晶圆背面,在所述晶圆正面形成集成电路;
提供一粘合层;
提供一支撑衬底,利用所述粘合层将支撑衬底粘合至晶圆背面;
在晶圆背面进行晶圆背面减薄;
将带有支撑衬底的晶圆粘合至切割膜上并对晶圆及支撑衬底进行切割以形成数个带有支撑衬底颗粒的晶圆颗粒;
将所述的数个晶圆颗粒粘合至与之相应的引线框架上;
从晶圆颗粒上剥离支撑衬底颗粒以完成管芯贴片。
2.如权利要求1所述的用于超薄晶圆工艺的管芯贴片方法,其特征在于,晶圆减薄后还包括对晶圆的背面进行背面工艺以形成器件电极,所述背面工艺包括背面刻蚀、背面蒸发、背面注入以及背面激光退火。
3.如权利要求1所述的用于超薄晶圆工艺的管芯贴片方法,其特征在于,所述支撑衬底为玻璃或石英。
4.如权利要求1所述的用于超薄晶圆工艺的管芯贴片方法,其特征在于,所述粘合层为双面热剥离胶带。
5.如权利要求4所述的用于超薄晶圆工艺的管芯贴片方法,其特征在于,所述双面热剥离胶带一面为压敏胶粘合层,其另一面为热剥离胶粘合层,所述压敏胶粘合层粘合在支撑衬底上,所述热剥离胶粘合层粘合在晶圆正面。
6.如权利要求5所述的用于超薄晶圆工艺的管芯贴片方法,其特征在于,通过对所述的粘合层进行加热以从晶圆颗粒上分离粘合层的,从而实现从晶圆颗粒上剥离支撑衬底颗粒。
7.如权利要求1所述的用于超薄晶圆工艺的管芯贴片方法,其特征在于,所述粘合层为双面紫外光照射自剥离胶带。
8.如权利要求7所述的用于超薄晶圆工艺的管芯贴片方法,其特征在于,所述双面紫外光照射自剥离胶带一面为紫外光照射剥离辅助粘合层,其另一面为紫外光照射自剥离粘合层,所述紫外光照射剥离辅助粘合层粘合在支撑衬底上,所述紫外光照射自剥离粘合层粘合在晶圆正面。
9.如权利要求8所述的用于超薄晶圆工艺的管芯贴片方法,其特征在于,通过对所述双面紫外光照射自剥离胶带进行紫外线照射以从晶圆颗粒上分离粘合层的,从而实现从晶圆颗粒上剥离支撑衬底颗粒。
10.如权利要求1所述的用于超薄晶圆工艺的管芯贴片方法,其特征在于,所述晶圆背面减薄是将晶圆减薄至小于等于100μm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造