[发明专利]一种用于超薄晶圆工艺的管芯贴片方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种管芯贴片的制造方法，特别涉及一种用于超薄晶圆工艺的管芯贴片方法。

背景技术

为了适应集成电路芯片封装轻小化发展趋势，人们往往希望晶圆的厚度能够做到非常的薄。然而，在芯片的封装制造过程中，硅片需要有足够的厚度，否则其机械强度不够，会在封装制造过程中产生破裂，特别是在晶圆背面减薄工艺(Wafer Backside Grinding)以及晶圆颗粒装片粘合(Die Attach)工艺过程中，将晶圆减薄至100μm或者以下，极易造成良品率的极大降低。

在晶圆颗粒的装片粘合(Die Attach)过程中，晶圆颗粒是靠导电银浆(Epoxy)将晶圆颗粒贴合于引线框架或是布线基板上，由于导电银浆的分散剂是环氧类的树脂，与硅的接触角很小，同时存在“银迁移”现象，所以，传统封装方式中，导电银浆易于吸附晶圆颗粒的硅基底并攀爬至晶圆颗粒配置有集成电路的一面，从而腐蚀集成电路单元或导致集成电路的短路，损坏晶圆颗粒的电性能。

另一方面，导电银浆过高，或是粘接晶圆颗粒的工艺过程，晶圆颗粒可能有小的横向移位，搓动导电银浆导致晶圆颗粒表面覆盖有少许银浆，从而导致后续的引线键合(WireBonding)将难以进行，容易造成键合在引线键合区(Pad)的引线不粘(Non-Stick)或是虚焊(Incomplete Bond)，而在之后的塑封(Molding)过程中，虚焊(Incomplete Bond)将导致引线从引线键合区(Pad)脱离(Ball Lift)，以致芯片功能性失效。

如美国专利公开号为US2006/0035443A1，由Hsu等人发明的专利中，提出了局部晶圆的粘接及切割方法，是对一支撑晶圆进行至少局部氧化构成多个氧化区，且对氧化区进行平整化，支撑晶圆及其氧化区表面无任何材料遮盖，以氧化区作为粘接点将支撑晶圆与集成电路晶圆粘接，通过这种结构完成后续的工序。在对支撑晶圆和集成电路晶圆的切割过程中，支撑晶圆会从集成电路晶圆上分离开。这有利于增强晶圆的机械强度，然而其工艺复杂，制作成本高。

鉴于上述问题，本发明公开一种用于超薄晶圆工艺的管芯贴片方法。其具有如下文所述之技术特征，以解决现有的问题。

发明内容

为了解决上述技术问题，本发明提供了一种用于超薄晶圆工艺的管芯贴片方法，该方法成本低廉、生产制作简单、工艺稳定，并且能有效提高产品良品率，提高晶圆上电路的性能。

本发明的一种用于超薄晶圆工艺的管芯贴片方法，包括如下步骤：

提供一晶圆，所述晶圆包含晶圆正面和晶圆背面，在所述晶圆正面形成集成电路；

提供一粘合层；

提供一支撑衬底，利用所述粘合层将支撑衬底粘合至晶圆正面；

在晶圆背面进行晶圆背面减薄；

将带有支撑衬底的晶圆粘合至切割膜上并对晶圆及支撑衬底进行切割以形成数个带有支撑衬底颗粒的晶圆颗粒；

将所述的数个晶圆颗粒粘合至与之相应的引线框架上；

从晶圆颗粒上剥离支撑衬底颗粒以完成管芯贴片。

上述的用于超薄晶圆工艺的管芯贴片方法，其中，晶圆减薄后还包括对晶圆的背面进行背面工艺以形成器件电极，所述背面工艺包括背面刻蚀、背面蒸发、背面注入以及背面激光退火。

上述的用于超薄晶圆工艺的管芯贴片方法，其中，所述支撑衬底为玻璃或石英。

上述的用于超薄晶圆工艺的管芯贴片方法，其中，所述粘合层为双面热剥离胶带。

上述的用于超薄晶圆工艺的管芯贴片方法，其中，所述双面热剥离胶带一面为压敏胶粘合层，其另一面为热剥离胶粘合层，所述压敏胶粘合层粘合在支撑衬底上，所述热剥离胶粘合层粘合在晶圆正面。

上述的用于超薄晶圆工艺的管芯贴片方法，其中，通过对所述的粘合层进行加热以从晶圆颗粒上分离粘合层的，从而实现从晶圆颗粒上剥离支撑衬底颗粒。

上述的用于超薄晶圆工艺的管芯贴片方法，其中，所述粘合层为双面紫外光照射自剥离胶带。

上述的用于超薄晶圆工艺的管芯贴片方法，其中，所述双面紫外光照射自剥离胶带一面为紫外光照射剥离辅助粘合层，其另一面为紫外光照射自剥离粘合层，所述紫外光照射剥离辅助粘合层粘合在支撑衬底上，所述紫外光照射自剥离粘合层粘合在晶圆上。

上述的用于超薄晶圆工艺的管芯贴片方法，其中，通过对所述双面紫外光照射自剥离胶带进行紫外线照射以从晶圆颗粒上分离粘合层的，从而实现从晶圆颗粒上剥离支撑衬底颗粒。