[发明专利]陶瓷基板制造方法无效
申请号: | 201010181193.7 | 申请日: | 2010-05-20 |
公开(公告)号: | CN102254832A | 公开(公告)日: | 2011-11-23 |
发明(设计)人: | 林文新 | 申请(专利权)人: | 禾伸堂企业股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H05K3/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 周长兴 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 陶瓷 制造 方法 | ||
技术领域
本发明为有关一种陶瓷基板制造方法,尤其指可通过电镀、切割等加工工艺进行制造陶瓷基板的方法,利用电镀加工与切割、研磨作业,不必通过蚀刻液的蚀刻工艺,避免对人体或环境形成伤害,依此制造的陶瓷基板线路,不管金属层多厚,所生产出来的线路皆无梯度,且形成的线路上底及下底尺寸接近一样,可制作业界高精密度的陶瓷基板。
背景技术
按,随着科技发展的突飞猛进及人类对更高生活质量的追求,所以对于许多产品的应用特性趋向极为严格的要求,造成新开发材料的使用成为必要的手段,而现今的集成电路封装工艺,受追求传输效率更佳以及体积小型化的影响(如行动电话、迷你笔记型计算机的电子组件),因此业界对这方面投入了相当可观的研究经费,而经过多年的研究后,发明一种以使用陶瓷材质所制成的陶瓷基板,而陶瓷基板具有优良的绝缘性、化学安定性、电磁特性、高硬度、高热导、耐磨耗及耐高温,所以陶瓷基板所可达成的功效远比传统基板更好,因此,陶瓷基板于目前在被使用的频率上也就越来越高。
然而,一般陶瓷基板上利用热压合方式附着有金属层、导电层后,需利用干膜层贴附于导电层上,并进行曝光显影及蚀刻作业,让所需的金属层及导电层留下形成线路,由于金属层通常具有较难蚀刻的特性,导致蚀刻过程中蚀刻液对导电层产生较多的移除,因为曝光显影时已将预定线路的图案显示于干膜层上,在陶瓷基板的加工工艺中,使用过的蚀刻液(大都为氯化铁或氯化铜等化学液剂),不仅造成对人体的伤害,使用后的废弃处理则容易形成对环境的污染。
如何解决公知陶瓷基板在工艺上因使用蚀刻液所产生伤害人体、污染环境的问题与缺失,即为从事此行业的相关厂商亟欲研究改善的方向所在。
发明内容
本发明的目的在于提供一种陶瓷基板的制造方法,可改变陶瓷基板制造方式,不利用蚀刻作业制造的陶瓷基板制造方法。
为实现上述目的,本发明提供的陶瓷基板制造方法,指可通过电镀、切割等加工工艺进行制造陶瓷基板的方法,其步骤为:
(a)陶瓷基板上贴附干膜层;
(b)对干膜层进行曝光显影,而于干膜层上形成预设路径;
(c)再于陶瓷基板与干膜层上涂布第一金属层;
(e)第一金属层上镀铜层;
(f)对陶瓷基板上的干膜层、第一金属层及铜层进行切割、研磨,并将干膜层由陶瓷基板上移除;
(g)陶瓷基板上形成适当高度的铜层;
(h)陶瓷基板的铜层表面予以电镀第二金属层,即完成陶瓷基板的制造。
所述的陶瓷基板制造方法,其中,该陶瓷基板为利用软生胚所烧结制成,并进行打孔后形成具一个或一个以上贯穿孔的陶瓷基板。
所述的陶瓷基板制造方法,其中,该软生胚为利用氮化铝(AlN)或氧化铝(Al2O3)材质制成。
所述的陶瓷基板制造方法,其中,该第一金属层为镍、铬、硅(Ni/Cr/Si)、镍铬硅合金(Ni/Cr/Si)或镍铬硅与铜的合金(Ni/Cr/Si+Cu)、铁钴合金(Fe/Co)、铁钴镍合金(Fe/Co/Ni)材质所制成,且介质层的厚度可为0.15μm~0.5μm。
所述的陶瓷基板制造方法,其中,该铜层通过电镀、蒸镀、溅镀的加工方式成型于第一金属层上,且铜层的厚度可为50μm~75μm。
所述的陶瓷基板制造方法,其中,该铜层表面通过电镀、蒸镀或溅镀的加工方式所镀的第二金属层,为镍/金/银(Ni/Au/Ag)的材质的第二金属层。
本发明不需经由蚀刻工艺作业,即不会产生废弃蚀刻液,避免造对成人体伤害及环境污染。
附图说明
图1为本发明的制造方法流程图。
图2为本发明的工艺的立体外观图。
图3为本发明的陶瓷基板成型前的侧视剖面图。
图4为本发明的侧视剖面图。
附图中主要元件符号说明:
1陶瓷基板,11贯穿孔,2干膜层,3第一金属层,4铜层,5第二金属层。
具体实施方式
本发明的制造方法,其步骤是在陶瓷基板上先贴附干膜层(Dryfilm),并进行曝光显影而形成预设线路布局的路径,再于陶瓷基板与干膜层上涂布第一金属层,且对陶瓷基板上的干膜层、第一金属层及铜层进行切割并整平,则将干膜层由陶瓷基板上移除,而在陶瓷基板上形成适当高度的铜层后,由陶瓷基板的铜层表面进行电镀第二金属层,即完成陶瓷基板的制造,不需经由蚀刻工艺作业,即不会产生废弃蚀刻液,避免造对成人体伤害及环境污染。
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