[发明专利]一种高频电路辐射电磁干扰分析方法

权利要求书

1.一种高频电路辐射电磁干扰的分析方法，其特征在于对辐射EMI复合场中的单个辐射源进行重构，采用的仪器为数字双踪示波器和两套近场电磁场探头，具体步骤如下：

第一步：将第一近场探头(1)和第二近场探头(2)与双踪示波器的第一通道和第二通道分别相连，其中第一近场探头(1)和第二近场探头(2)型号相同，且两个同为近场电场探头或者同为近场磁场探头；

第二步：将第一近场探头(1)和第二近场探头(2)分别放置在高频电路附近进行n次测量，并从双踪示波器中获得高频电路辐射EMI时域信号；其中，测量次数n与待测高频电路中辐射电磁干扰源个数有关，对于高频电路，n＝4或n＝5，并且每次测量时上述两探头与电路平面之间的距离相等，此外，任意两次测量时两探头所处的位置不能完全相同，同时需要将相关度较差的处理结果舍去；

第三步：将第二步获得的高频电路辐射EMI时域信号利用盲信号分析方法进行处理将上述待测高频电路中辐射EMI时域信号分离为单独的共模辐射信号和差模辐射信号，从而对形成辐射EMI复合场的每个独立电磁辐射源进行重构，进一步得到各个独立电磁辐射干扰源情况。

2.如权利要求1所述的高频电路辐射电磁干扰的分析方法，其特征在于所述进一步得到各个独立电磁辐射干扰源情况，从而得到各辐射源是由共模辐射引起，还是由差模辐射引起，采用的仪器为频谱分析仪和近场电磁场探头，具体步骤是：

第一步：将近场电场探头的输出端与频谱分析仪的输入端相连，对所述的电磁辐射干扰源，利用近场电场探头进行测量，从而可从频谱分析仪上获得近场电场探头测量结果；

第二步：将近场磁场探头与频谱分析仪相连，对所述的电磁辐射干扰源，利用近场磁场探头进行测量，从而可从频谱分析仪上获得近场磁场探头测量结果；

第三步：对于各个电磁辐射干扰源，把第一步和第二步测量结果进行比较，如果某辐射干扰源由第一步获得的近场电场探头测量结果大于第二步获得的近场磁场探头测量结果，则说明该辐射干扰源的辐射特征以共模辐射为主；如果某辐射干扰源由第一步获得的近场磁场探头测量结果大于第二步获得的近场电场探头测量结果，则说明该辐射干扰源的辐射特征以差模辐射为主，如果某辐射干扰源由第一步获得的近场磁场探头测量结果和第二步获得的近场电场探头测量结果相差不大，且都比较突出，则说明该辐射源既是共模源又是差模源，如果某辐射干扰源由第一步获得的近场磁场探头测量结果和第二步获得的近场电场探头测量结果都明显较小，则说明该位置不属于辐射源。