[发明专利]一种高频电路辐射电磁干扰分析方法

说明书

技术领域

本发明涉及的是对高频电路辐射电磁干扰(EMI)特性分析方法，具体说是基于盲信号分析方法对高频电路的EMI辐射源进行搜索定位，根据源定位结果对EMI辐射源进行特性诊断，属于电磁兼容技术领域。

背景技术

目前电力电子产品的EMI问题越来越突出，这一方面是因为高频器件被广泛应用与产品之中，另一方面是由于产品的复杂化、微型化程度越来越高，所以高频电路的辐射EMI解决方法变得日趋重要。然而，可用于高频电路的辐射EMI解决方法种类繁多，辐射EMI抑制方法也多种多样，可见省时省力的选择有效的辐射EMI解决方案势在必行。

对高频电路辐射电磁干扰的分析通常采用远场测量或近场测量，其中，远场测量方法即是采用开阔场(OATS)测量或者电波暗室(Anechoic chamber)对被测电路进行测量的方法，但OATS或电波暗室造价昂贵且建造周期较长，同时测量费用较高。近场测量即是采用近场电磁场测量系统对被测电路的EMI进行测量(如HITACHI生产的EMI TESTER系列等)，但此类系统只能给出被测电路的辐射场强大小的结果，却不能对这些高频电路的特性(即辐射源由电场引起的还是由磁场引起的)给出说明。同时此类系统的测量方式为扫描式测量，即需要对高频电路的整个区域进行逐点扫描，因此测量过程较为耗时。此外上述近场电磁场测量系统的价格也较为昂贵，推广应用比较困难。

发明内容

技术问题：本发明所要解决的技术问题，在于克服现有技术存在的缺陷，提出一种高频电路辐射电磁干扰分析方法。该方法首先通过盲信号分析方法对被测高频电路中的辐射源进行区分，然后直接利用近场探头对辐射源进行频域测量，即可得出待测高频电路的辐射EMI是由共模辐射引起，还是由差模辐射引起，而不需要对整个被测电路进行扫描。

技术方案：基于盲信号分析的高频电路辐射电磁干扰分析方法原理，当多个信号源之间相互独立时，利用盲信号处理技术可以对这些信号源产生的混合信号进行重构，最后可获得单个信号源产生的信号。

对于高频电路的辐射电磁干扰来说，电路中往往有多个辐射源，因此通常将这些辐射源等效为电偶极子和磁偶极子进行分析，即电偶极子共模辐射源和磁偶极子差模辐射源。如图1(a)所示为任意两个电偶极子在空间某位置处沿径向传播方向的电场强度示意图。图1(b)为任意两个磁偶极子在空间某位置处沿径向传播方向的磁场强度示意图。由图可知，电偶极子在空间某位置处产生的复合场强大小为：

Er=Er1cosα1+Er2cosα2Hr=0---(1)]]>

磁偶极子在空间某位置处产生的复合场强大小为：