[发明专利]制作半导体器件栅极的方法

权利要求书

1.一种制作半导体器件栅极的方法，包括步骤：

a)在前端器件层上依次形成第一栅氧化物层、栅极材料层、第二栅氧化物层、第一硬掩膜层、第二硬掩膜层、抗反射涂层和具有图案的光刻胶层；

b)对所述抗反射涂层进行刻蚀；

c)对所述第二硬掩膜层进行刻蚀；

d)对所述第一硬掩膜层进行刻蚀；和

e)以所述第一硬掩膜层为掩膜依次刻蚀所述第二栅氧化物层、所述栅极材料层和所述第一栅氧化物层，去除所述第一硬掩膜层，形成栅极，

其中，还包括以下步骤：在步骤a和步骤b之间，通入第一刻蚀气体对所述具有图案的光刻胶层进行修整；或者在步骤c与步骤d之间，通入第二刻蚀气体对所述第二硬掩膜层、所述抗反射涂层和所述具有图案的光刻胶层进行修整。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述修整包括：

在其它参量不变的情况下，仅修整时间变化，分别测量不同修整时间所对应的刻蚀偏差；

对所测得的数据点进行拟合，得到所述刻蚀偏差与所述修整时间的关系曲线；和

基于所述关系曲线，根据所需要的刻蚀偏差来确定实际所需的修整时间。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二硬掩膜层的材料是氮氧化硅、氮化硅或者氮化硅与氧化物的混合物。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二硬掩膜层的厚度为100-600埃。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述b步骤中的刻蚀为干法刻蚀，刻蚀气体包含CF₄、CHF₃、CH₂F₂、C₃F₈、C₄F₈中的一种或多种。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述b步骤中的刻蚀为干法刻蚀，刻蚀气体包含卤素气体和/或含卤素的刻蚀用化合物气体。

7.如权利要求5或6所述的方法，其特征在于，所述刻蚀气体还包含惰性气体。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述c步骤中的刻蚀包括主刻蚀和过刻蚀。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述主刻蚀和所述过刻蚀为干法刻蚀，刻蚀气体包含CF₄、CHF₃、CH₂F₂、SF₆和NF₃中的一种或多种。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述刻蚀气体还包含惰性气体。

11.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一刻蚀气体包含氯气和氧气。

12.如权利要求11所述的方法，其特征在于，所述氯气的流速为10-200sccm，所述氧气的流速为10-200sccm。

13.如权利要求11所述的方法，其特征在于，所述氯气的流速为20-100sccm，所述氧气的流速为20-100sccm。

14.如权利要求11所述的方法，其特征在于，所述第一刻蚀气体还包含惰性气体。

15.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二刻蚀气体包含CF₄、CHF₃和CH₂F₂中的一种或多种。

16.如权利要求15所述的方法，其特征在于，所述第二刻蚀气体包含CF₄。

17.如权利要求16所述的方法，其特征在于，所述CF₄的流速为10-500sccm。

18.如权利要求15或16所述的方法，其特征在于，所述第二刻蚀气体还包含氧气和/或惰性气体。

19.一种包含通过如权利要求1-18中任一项所述的方法制造的半导体器件栅极的集成电路，其中所述集成电路为随机存取存储器、动态随机存取存储器、同步随机存取存储器、静态随机存取存储器、只读存储器、可编程逻辑阵列、专用集成电路、掩埋式DRAM或射频电路。

20.一种包含通过如权利要求1-18中任一项所述的方法制造的半导体器件栅极的电子设备，其中所述电子设备为计算机、游戏机、蜂窝式电话、个人数字助理、摄像机或数码相机。