[发明专利]用于互连工艺中的半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201010182903.8 | 申请日： | 2010-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN102254856A | 公开（公告）日： | 2011-11-23 |
| 发明（设计）人： | 孙武;张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;谢栒 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 互连 工艺 中的 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种制造用于互连工艺中的半导体器件的方法，包括如下步骤：
在前端器件层上形成通孔停止层；
在所述通孔停止层上形成介电层；
在所述介电层上形成钝化层；
利用等离子体方法，对所述钝化层和所述介电层进行刻蚀，以在所述介电层中形成沟槽；
其特征在于，在刻蚀形成所述沟槽时采用的气体为CH2F2、CH3F和CO2的混合气体。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述互连工艺为铜互连工艺。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在刻蚀形成所述沟槽时采用的压力在10-50mTorr之间。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在刻蚀形成所述沟槽时采用的频率为27MHz，采用的功率为200-500W。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在刻蚀形成所述沟槽时采用的频率为2MHz，采用的功率为500-1000W。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述CH2F2的流量在20-100sccm之间。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述CH3F的流量在20-50sccm之间。
8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述CO2的流量在50-200sccm之间。
9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蚀的时间在10秒-50秒之间。
10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述沟槽的底部的中央向上方突起。
11.如权利要求10所述的方法，其特征在于，所述突起的厚度在50埃-200埃之间。
12.一种用于互连工艺中的半导体器件，包含根据权利要求1-11中任一项获得的半导体互连结构。
13.一种包含如权利要求12所述的半导体器件的集成电路，其中所述集成电路选自随机存取存储器、动态随机存取存储器、同步随机存取存储器、静态随机存取存储器、只读存储器、可编程逻辑阵列、专用集成电路和掩埋式DRAM、射频器件。
14.一种包含如权利要求12所述的半导体器件的电子设备，其中所述电子设备选自个人计算机、便携式计算机、游戏机、蜂窝式电话、个人数字助理、摄像机和数码相机。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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