[发明专利]非挥发性记忆体及其操作方法无效
申请号: | 201010184374.5 | 申请日: | 2010-05-17 |
公开(公告)号: | CN102254573A | 公开(公告)日: | 2011-11-23 |
发明(设计)人: | 张耀文;卢道政 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司 |
主分类号: | G11C16/06 | 分类号: | G11C16/06;G11C16/34;G11C16/02;H01L27/115 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人: | 寿宁;张华辉 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 挥发性 记忆体 及其 操作方法 | ||
1.一种非挥发性记忆体的操作方法,适用于具有一第一储存位置与一第二储存位置的N阶记忆胞,其中N为大于2的正整数,其特征在于该操作方法包括:
根据该第二储存位置的一位准,决定操作该第一储存位置的一操作位准组;
当该第二储存位置的该位准为较低位准时,根据一第一操作位准组操作该第一储存位置;以及
当该第二储存位置的该位准为较高位准时,根据一第二操作位准组操作该第一储存位置。
2.根据权利要求1所述的非挥发性记忆体的操作方法,其特征在于其中所述的较低位准是小于或等于N/2的整数,较高位准是大于N/2的整数。
3.根据权利要求1所述的非挥发性记忆体的操作方法,其特征在于其中所述的第二操作位准组与该第一操作位准组分别包括由小至大的第1操作位准至第N-1操作位准,该第二操作位准组中的第i操作位准大于该第一操作位准组中的第i操作位准,其中i=1、...、N-1。
4.根据权利要求3所述的非挥发性记忆体的操作方法,其特征在于其中所述的操作方法为程序化方法,该第一操作位准组与该第二操作位准组为程序化确认位准组。
5.根据权利要求3所述的非挥发性记忆体的操作方法,其特征在于其中所述的操作方法为读取方法,该第一操作位准组与该第二操作位准组为读取位准组。
6.根据权利要求1所述的非挥发性记忆体的操作方法,其特征在于其中所述的第二操作位准组与该第一操作位准组分别包括由小至大的第1操作位准至第N-1操作位准,该第二操作位准组中的第i操作位准等于该第一操作位准组中的第i+1操作位准,其中i=1、...、N-1。
7.根据权利要求6所述的非挥发性记忆体的操作方法,其特征在于其中所述的操作方法为程序化方法,该第一操作位准组与该第二操作位准组为程序化确认位准组。
8.根据权利要求6所述的非挥发性记忆体的操作方法,其特征在于其中所述的操作方法为读取方法,该第一操作位准组与该第二操作位准组为读取位准组。
9.一种非挥发性记忆体的操作方法,适用于具有一第一储存位置与一第二储存位置的N阶记忆胞,其中N为大于2的正整数,其特征在于该操作方法包括:
在进行程序化操作时,根据该第二储存位置的一位准,决定用于确认该第一储存位置的状态的一程序化确认位准组;
当该第二储存位置的该位准为较低位准时,根据一第一程序化确认位准组确认经程序化的该第一储存位置的状态;以及
当该第二储存位置的该位准为较高位准时,根据一第二程序化确认位准组确认经程序化的该第一储存位置的状态。
10.根据权利要求9所述的非挥发性记忆体的操作方法,其特征在于其更包括在进行读取操作时,根据该第一程序化确认位准组与该第二程序化确认位准组,决定读取该第一储存位置的一读取位准组;
当该第一储存位置是以该第一程序化确认位准组而被确认其程序化状态时,根据对应该第一程序化确认位准组的一第一读取位准组读取该第一储存位置;以及
当该第一储存位置是以该第二程序化确认位准组而被确认其程序化状态时,根据对应该第二程序化确认位准组的一第二读取位准组读取该第一储存位置。
11.根据权利要求9所述的非挥发性记忆体的操作方法,其特征在于其中所述的较低位准是小于或等于N/2的整数,较高位准是大于N/2的整数。
12.根据权利要求9所述的非挥发性记忆体的操作方法,其特征在于其中所述的第二程序化确认位准组与该第一程序化确认位准组分别包括由小至大的第1程序化确认位准至第N-1程序化确认位准,该第二程序化确认位准组中的第i程序化确认位准大于该第一程序化确认位准组中的第i程序化确认位准,其中i=1、...、N-1。
13.根据权利要求9所述的非挥发性记忆体的操作方法,其特征在于其中所述的第二程序化确认位准组与该第一程序化确认位准组分别包括由小至大的第1程序化确认位准至第N-1程序化确认位准,该第二程序化确认位准组中的第i程序化确认位准等于该第一程序化确认位准组中的第i+1程序化确认位准,其中i=1、...、N-1。
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