[发明专利]半导体器件无效
申请号: | 201010184889.5 | 申请日: | 2010-05-21 |
公开(公告)号: | CN101895282A | 公开(公告)日: | 2010-11-24 |
发明(设计)人: | 奥田修功;小林俊介;铃木伸和 | 申请(专利权)人: | 株式会社村田制作所 |
主分类号: | H03K17/693 | 分类号: | H03K17/693 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 王轶;李伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体器件 | ||
技术领域
本发明涉及半导体器件,特别是涉及具备有开关电路部和逻辑电路部的半导体器件。
背景技术
一般作为半导体器件,公知有配置在便携式电话机等的天线的正下方的天线开关模块,在该半导体器件中构成为,通过逻辑电路部使包含晶体管的开关电路部工作。
在专利文献1中记载了一种使用了半导体基板的天线开关电路,在分别独立的基板上形成天线开关电路芯片和天线开关解码电路芯片。二者通过导线粘接剂连接。但是,在该天线开关电路中,由于分别形成天线开关电路和解码电路,再将二者连接使其一体化,所以存在器件整体大型化,需要用于连接的工序,价格昂贵的问题。
因此,人们想到了将开关电路部和用于控制其的逻辑电路部形成在一个半导体基板上。但是,在将二者接近配置时,例如,如GSM(GlobalSystem for Mobile Communication)之类,在发送时输出35dB这样的大功率的情况下,存在对开关电路部施加该大功率(高频),功率的一部分辐射到逻辑电路部的不良情况。在辐射功率作用在逻辑电路部时,逻辑电路部有可能发生误动作。通过增加开关电路部的晶体管的数量或使开关电路部与逻辑电路部远离而增大IC,可以减少对逻辑电路部的辐射作用,但是这样损失了小型化,意味着不能将二者形成在一个基板上。
专利文献1:日本特开2004-350068号公报
发明内容
因此,本发明的目的在于,提供一种可以抑制开关电路部所产生的高频辐射对逻辑电路部的不良影响,且不必牺牲小型化、低成本化的半导体器件。
为了达到本发明的上述目的,本发明方式一的半导体器件,具备开关电路部和逻辑电路部,其特征在于,上述开关电路部和上述逻辑电路部形成在一个半导体基板上,在上述逻辑电路部的正上方配置有屏蔽导体。
在上述半导体器件中,由于将开关电路部和逻辑电路部形成的一个半导体基板上,所以可以达到小型化、低成本化,而且由于在逻辑电路部的正上方配置屏蔽导体,所以即使从开关电路部产生高频的功率辐射,该辐射也会经由屏蔽导体被散逸,所以逻辑电路部中不可能发生误动作。
发明效果
根据本发明,得到一种能够抑制开关电路部所产生的高频辐射对逻辑电路部的不良影响,且不牺牲小型化、低成本化的半导体器件。
附图说明
图1是表示本发明的半导体器件的概略结构的方框图。
图2是上述半导体器件的电路图。
图3是表示上述半导体器件的各要素的配置关系的说明图。
图4是表示上述半导体装置的逻辑电路部的剖面图。
图5是配置在上述半导体器件中的屏蔽导体的俯视图。
图中文字说明:
11-开关电路部;12-逻辑电路部;20-半导体基板;22b-保护层;30-屏蔽导体;30a-狭缝;30b-开口;ANT-天线端子;GND1、GND2、GND3-接地端子;Port1、Port2-信号端子;CTL-控制端子;VDD-电源端子。
具体实施方式
以下,参照附图,对本发明的半导体器件的实施例进行说明。
本发明的半导体器件的一实施例,如图1和图2所示,是由开关电路部11和逻辑电路部12构成的单刀双掷开关,配置在便携式电话机等的天线的正下方。
详细地说,开关电路部11由开关电路部11A、11B、11C、11D构成,该开关电路部11A、11B、11C、11D具备晶体管Tr1、Tr2、Tr3、Tr4及电阻R1、R2、R3、R4,该开关电路部11具备天线端子ANT、信号端子Port1、Port2、接地端子GND1、GND2。逻辑电路部12由使开关电路部11进行开关动作的规定电路构成,并具备控制端子CTL、电源端子VDD、接地端子GND3。
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