[发明专利]器件加工方法

说明书

技术领域

本发明涉及对器件的外周照射脉冲激光束来实施倒角加工的器件加工方法。

背景技术

在半导体器件制造工艺中，使用呈格子状形成在大致圆板形状的硅晶片、砷化镓晶片等半导体晶片的表面上的、被称为间隔道(street)的分割预定线，划分出多个区域，在划分出的各区域内形成IC、LSI等的器件。然后，通过切削装置或激光加工装置将半导体晶片分割成各个器件，分割后的器件被广泛应用于移动电话、个人计算机等各种电气设备。

作为切削装置，一般使用被称为划片(dicing)装置的切削装置，在该切削装置中，在使切削刀片以大约30000rpm进行高速旋转的同时，使切削刀片切入半导体晶片，由此来进行切削，其中，上述切削刀片是利用金属、树脂将金刚石或CBN等的超磨粒固结在一起而形成的，其厚度为30～300μm左右。

另一方面，激光加工装置至少具有：卡盘工作台，其保持半导体晶片；激光束照射单元，其向由该卡盘工作台保持的半导体晶片照射脉冲激光束；以及加工进给单元，其使该卡盘工作台与该激光束照射单元相对地进行加工进给，该激光加工装置沿着形成在半导体晶片表面上的分割预定线，照射对于半导体晶片具有吸收性的波长的脉冲激光束而形成激光加工槽，然后施加外力，沿着激光加工槽来切断半导体晶片，从而分割成各个器件(例如参照日本特开2007-19252号公报)。

【专利文献1】日本特开2007-19252号公报

然而，利用具有切削刀片的划片装置切削半导体晶片而形成的器件的抗弯强度为800MPa，与之相对，使用现有的激光加工方法形成的器件的抗弯强度为400MPa这样的低水平，存在导致电气设备质量下降的问题。

发明内容

本发明正是鉴于上述情况而完成的，其目的在于提供一种能够提高抗弯强度的器件加工方法。

根据本发明，提供一种器件加工方法，该器件加工方法用于提高通过分割半导体晶片而形成的器件的抗弯强度，该器件加工方法的特征在于，对器件的外周照射对于器件具有吸收性的波长的脉冲激光束来实施倒角加工，所述脉冲激光束的脉宽为2ns以下，且峰值能量密度为5GW/cm²～200GW/cm²。

优选的是，以使会聚到器件外周的光点的直径的16/20以上发生重合的方式，对半导体晶片进行加工进给来实施倒角加工。优选的是，激光束的光点直径处于φ5μm～φ15μm的范围内。

根据本发明，将对于器件具有吸收性的波长的脉冲激光束的脉宽设定为2ns以下，并且，将脉冲激光束的每1个脉冲的峰值能量密度设定为5GW/cm²～200GW/cm²，从而对器件的外周实施倒角加工，因此，能够使器件的抗弯强度达到800MPa以上。

附图说明

图1是适合于实施本发明的激光加工装置的外观立体图。

图2是通过胶带而由环状框架支撑的半导体晶片的立体图。

图3是激光束照射单元的框图。

图4是激光加工工序的立体图。

图5(A)是激光加工工序的说明图，图5(B)是通过激光加工而分割成器件的半导体晶片的剖面图。

图6是划片工序的说明图。

图7是倒角加工工序的说明图。

图8是说明光束点的重合量的图。

标号说明

W：半导体晶片；T：胶带(划片带：dicing tape)；F：环状框架；D：器件；2：激光加工装置；28：卡盘工作台；34：激光束照射单元；36：聚光器；74：分割槽。

具体实施方式

下面，参照附图来详细说明本发明的实施方式。图1示出了适合于实施本发明的器件加工方法的激光加工装置的概略结构图。

激光加工装置2包括以可在X轴方向上移动的方式搭载在静止基座4上的第1滑块6。第1滑块6可通过由滚珠丝杠8和脉冲电机10构成的加工进给单元12，沿着一对导轨14在加工进给方向、即X轴方向上移动。

在第1滑块6上，以可在Y轴方向上移动的方式搭载有第2滑块16。即，第2滑块16可通过由滚珠丝杠18和脉冲电机20构成的分度进给单元22，沿着一对导轨24在分度方向、即Y轴方向上移动。

在第2滑块16上，通过圆筒支撑部件26搭载有卡盘工作台28，卡盘工作台28可通过加工进给单元12和分度进给单元22在X轴方向和Y轴方向上移动。在卡盘工作台28上设有夹具30，该夹具30夹持由卡盘工作台28吸引保持的半导体晶片。