[发明专利]静电吸附电极及其制造方法和基板处理装置有效
申请号: | 201010185980.9 | 申请日: | 2010-05-27 |
公开(公告)号: | CN101901778A | 公开(公告)日: | 2010-12-01 |
发明(设计)人: | 佐佐木芳彦;南雅人;古屋敦城 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/00 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;陈立航 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 静电 吸附 电极 及其 制造 方法 处理 装置 | ||
1.一种静电吸附电极,具备利用静电力来吸附保持基板的基板保持面,该静电吸附电极的特征在于,具备:
被设置于基材上通过喷镀而形成的绝缘覆膜;以及
被设置于上述绝缘覆膜中的第一电极层和第二电极层,其中,上述第一电极层被施加正电压,上述第二电极层被施加负电压。
2.根据权利要求1所述的静电吸附电极,其特征在于,
上述第一电极层和上述第二电极层构成为彼此的相对面呈梳子形的梳子形电极。
3.根据权利要求1或者2所述的静电吸附电极,其特征在于,
上述第一电极层和上述第二电极层是通过喷镀形成的。
4.根据权利要求1或者2所述的静电吸附电极,其特征在于,
上述基板保持面具有凹凸形状。
5.根据权利要求1或者2所述的静电吸附电极,其特征在于,
上述绝缘覆膜具有第一覆膜和位于上述第一覆膜下方的第二覆膜,上述第一覆膜包含位于上述第一电极层和上述第二电极层上方的基板保持面,上述第二覆膜上形成有上述第一电极层和上述第二电极层,上述第一覆膜的介电常数高于上述第二覆膜的介电常数。
6.根据权利要求5所述的静电吸附电极,其特征在于,
上述第一覆膜是通过从位于上述第一电极层和上述第二电极层上方的基板保持面扩散规定的成分而形成的。
7.根据权利要求5所述的静电吸附电极,其特征在于,
在上述基板保持面的对应于上述第一电极层与上述第二电极层之间的间隔的部分,上述第一覆膜形成有凹部。
8.根据权利要求1或者2所述的静电吸附电极,其特征在于,
上述绝缘覆膜具有下层覆膜和上层覆膜,上述第一电极层和上述第二电极层形成于上述下层覆膜与上述上层覆膜之间。
9.根据权利要求8所述的静电吸附电极,其特征在于,
上述下层覆膜与上述上层覆膜之间的边界面呈凹凸状,在相邻的上述第一电极层与上述第二电极层之间不存在上述下层覆膜与上述上层覆膜之间的边界面。
10.根据权利要求9所述的静电吸附电极,其特征在于,
上述下层覆膜的上表面具有第一凹部和第一凸部,上述上层覆膜的下表面具有与上述第一凸部对应地设置的第二凹部以及与上述第一凹部对应地设置的第二凸部,上述第一电极层和上述第二电极层形成于上述第一凸部与上述第二凹部之间。
11.根据权利要求10所述的静电吸附电极,其特征在于,
上述上层覆膜的耐电压高于上述下层覆膜的耐电压。
12.根据权利要求9所述的静电吸附电极,其特征在于,
上述下层覆膜的上表面具有第一凹部和第一凸部,上述上层覆膜的下表面具有与上述第一凸部对应地设置的第二凹部以及与上述第一凹部对应地设置的第二凸部,上述第一电极层和上述第二电极层形成于上述第一凹部与上述第二凸部之间。
13.一种静电吸附电极的制造方法,用于制造静电吸附电极,该静电吸附电极具有绝缘覆膜以及被设置于上述绝缘覆膜中的第一电极层和第二电极层,其中,上述第一电极层被施加正电压,上述第二电极层被施加负电压,该静电吸附电极的制造方法的特征在于,具有以下工序:
在基材上通过喷镀来形成上述绝缘覆膜的下层覆膜;
在上述下层覆膜上通过喷镀来形成上述第一电极层和上述第二电极层;以及
在形成上述第一电极层和上述第二电极层之后,在整个表面上通过喷镀来形成上述绝缘覆膜的上层覆膜。
14.根据权利要求13所述的静电吸附电极的制造方法,其特征在于,还具有以下工序:
在形成上述第一电极层和上述第二电极层之后,在上述下层覆膜的没有形成上述第一电极层和上述第二电极层的部分,通过喷砂处理形成凹部,
之后,形成上述上层覆膜。
15.根据权利要求13所述的静电吸附电极的制造方法,其特征在于,
在上述下层覆膜上通过喷镀来形成导电体层,之后,通过喷砂处理来去除上述导电体层的用于形成上述第一电极层和上述第二电极层以外的部分,由此进行形成上述第一电极层和上述第二电极层的工序,此时,在上述下层覆膜的没有形成上述第一电极层和上述第二电极层的部分形成凹部,之后,形成上述上层覆膜。
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