[发明专利]静电吸附电极及其制造方法和基板处理装置有效
申请号: | 201010185980.9 | 申请日: | 2010-05-27 |
公开(公告)号: | CN101901778A | 公开(公告)日: | 2010-12-01 |
发明(设计)人: | 佐佐木芳彦;南雅人;古屋敦城 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/00 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;陈立航 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 静电 吸附 电极 及其 制造 方法 处理 装置 | ||
技术领域
本发明涉及一种静电吸附电极及其制造方法和使用静电吸附电极的基板处理装置,该静电吸附电极用于在对液晶显示装置(LCD)那样的平板显示器(FPD)制造用的玻璃基板等基板实施干蚀刻等处理的处理室内吸附保持基板。
背景技术
在制造FPD的过程中,对作为被处理体的矩形玻璃基板进行干蚀刻、溅射(sputtering)、CVD(Chemical Vapor Deposition:化学气相沉积)等各种处理。在进行这些处理的处理装置中,在处理室内设置具有静电吸附电极的基板载置台,通过静电吸附电极,例如利用库伦力(coulomb force)、约翰逊-勒比克力(Johnson-Rahbek force)来吸附固定玻璃基板,在该状态下进行规定的处理。
以往,已知以下静电吸附电极:在与基板对应的大小的矩形的金属电极上通过喷镀来覆盖由Al2O3等陶瓷构成的绝缘覆膜,对金属电极施加直流电压,由此吸附玻璃基板(例如专利文献1)。
专利文献1:日本特开2005-136350号公报
发明内容
发明要解决的问题
另外,近来,FPD用的玻璃基板不断地大型化,对静电吸附电极要求更高的吸附力。在这种静电吸附电极中,为了得到更高的吸附力而需要提高施加到金属电极的直流电压。但是,当提高施加到金属电极的直流电压时,为了保持绝缘覆膜的耐电压性能而必须增加覆膜的厚度,由于增加绝缘覆膜的厚度,反而使吸附力降低。另外,当增加绝缘覆膜的厚度时,由于热量、应力而覆膜容易产生裂纹。并且,以往的静电卡盘电极在接通电压之后电荷残存于玻璃基板表面,因此需要消除电荷,从而基板的处理时间(生产节拍时间(tact time))延长。
本发明是鉴于上述情形而完成的,其目的在于提供一种不产生耐电压性能的问题而较薄地形成绝缘覆膜又能够确保所需吸附力、且不需要消除电荷的静电吸附电极以及使用该静电吸附电极的基板处理装置。
用于解决问题的方案
为了解决上述问题,在本发明的第一观点中,提供一种静电吸附电极,其具备利用静电力来吸附保持基板的基板保持面,该静电吸附电极的特征在于,具备:被设置于基材上通过喷镀形成的绝缘覆膜;以及被设置于上述绝缘覆膜中的第一电极层和第二电极层,其中,第一电极层被施加正电压,第二电极层被施加负电压。
在上述第一观点中,优选的是上述第一电极层和上述第二电极层构成为彼此的相对面呈梳子形的梳子形电极。
优选的是上述第一电极层和上述第二电极层是通过喷镀形成。另外,能够将上述基板保持面设为具有凹凸形状的结构。
另外,能够将上述绝缘覆膜设为以下结构:具有第一覆膜和位于上述第一覆膜下方的第二覆膜,上述第一覆膜包含位于上述第一电极层和上述第二电极层上方的基板保持面,上述第二覆膜上形成有上述第一电极层和上述第二电极层,上述第一覆膜的介电常数高于上述第二覆膜的介电常数。在这种情况下,能够通过从位于上述第一电极层和上述第二电极层上方的基板保持面扩散规定的成分而形成上述第一覆膜。由此,能够设为与上述第一电极层和上述第二电极层对应的部分较厚,而对应于上述第一电极层与上述第二电极层之间的间隔的部分较薄。另外,能够将上述第一覆膜设为如下结构:在上述基板保持面的对应于上述第一电极层与上述第二电极层之间的间隔的部分形成有凹部。
在上述第一观点中,能够将上述绝缘覆膜设为以下结构:具有下层覆膜和上层覆膜,上述第一电极层和上述第二电极层形成于上述下层覆膜与上述上层覆膜之间。
在这种情况下,优选的是上述下层覆膜与上述上层覆膜之间的边界面呈凹凸状,在相邻的上述第一电极层与上述第二电极层之间不存在上述下层覆膜与上述上层覆膜之间的边界面。由此,能够有效防止在上层覆膜与下层覆膜之间产生沿面放电。
具体地说,能够设为如下结构:上述下层覆膜的上表面具有第一凹部和第一凸部,上述上层覆膜的下表面具有与上述第一凸部对应地设置的第二凹部以及与上述第一凹部对应地设置的第二凸部,上述第一电极层和第二电极层形成于上述第一凸部与上述第二凹部之间。在这种情况下,能够设为上述上层覆膜的耐电压高于上述下层覆膜的耐电压。另外,能够设为如下结构:上述下层覆膜的上表面具有第一凹部和第一凸部,上述上层覆膜的下表面具有与上述第一凸部对应地设置的第二凹部以及与上述第一凹部对应地设置的第二凸部,上述第一电极层和上述第二电极层形成于上述第一凹部与上述第二凸部之间。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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