[发明专利]一种碳纳米管网络结构存储器及其制备方法

权利要求书

1.一种碳纳米管网络结构存储器，其特征在于：存储器以硅为衬底，在衬底表面是氧化形成的二氧化硅绝缘层，在二氧化硅绝缘层上淀积有源极和漏极两个电极；所述两个电两个电极之间具有间距，利用光刻胶在两个电极之间刻蚀有一窗口，窗口的长度为两电极间距，在该窗口中淀积有一层碳纳米管形成的碳纳米管网络通路，并与两端的电极形成接触。

2.根据权利要求1所述的碳纳米管网络结构存储器，其特征在于：所述的源极和漏极两个电极的材料为贵金属钯或金。

3.根据权利要求1所述的碳纳米管网络结构存储器，其特征在于：所述的碳纳米管是单壁碳纳米管。

4.一种如权利要求1所述的碳纳米管网络结构存储器的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

1)选用硅作衬底材料，利用干氧氧化或湿氧氧化方法在衬底上面形成氧化层，在氧化层上淀积形成源极和漏极两个电极；

2)利用光刻胶在两个电极之间刻蚀出一窗口，窗口的长度为两电极间距，在该窗口中淀积一层碳纳米管形成碳纳米管网络通路，并与两端的电极形成接触；

3)去除光刻胶，对器件进行封装。

5.根据权利要求4所述的碳纳米管网络结构存储器的制备方法，其特征在于：所述的淀积碳纳米管网络薄层使用单壁碳纳米管溶液，在所述溶液中使用分离剂以避免单壁碳纳米管聚合成团。

6.一种如权利要求1所述的碳纳米管网络结构存储器的数据读写方法，其特征在于：写入“1”时在衬底施加正电压，写入“0”时在衬底施加负电压，通过在衬底施加零偏压、测量源极和漏极之间的电流读出存储的数据。