[发明专利]一种碳纳米管网络结构存储器及其制备方法

说明书

技术领域

本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种碳纳米管网络结构存储器及制备方法。

背景技术

存储器在半导体世界中占有重要地位，在全世界半导体市场中存储器占据了40％的份额，并且存储器的更新换代速度非常快，存储器以外的其他半导体产品每2年更新一代，而存储器则是每18个月一代。随着人们对器件速度和尺寸要求的不断提高，集成电路尺寸不断减小，集成度不断提高，现在已经可以实现22nm工艺在指甲盖大小的面积上集成29亿个晶体管，而随着集成电路尺寸的减小，量子效应将越来越明显，导致宏观概念的实效，基于传统宏观概念的器件将不能正常工作。存储器的发展同样面对着器件进一步减小所带来的困难，以动态存储器(DRAM)为例，存储单元的电容不能太小，如果这个电容小到不能提供足够多的电子给放大器，那么整个存储器将被噪声所淹没，将不能保证信息存储的可靠性；同时，当每个存储单元的电子数目因集成度的提高变得越来越小时，存储器中的MOS场效应晶体管逐渐变得不稳定。

传统半导体存储器的种种限制，使得纳米材料和纳米加工技术的研究发展越来越受关注，而碳纳米管以其特有的电学特性成为了下一代电子器件的首选材料。

基于碳纳米管制作的存储器主要是用单根或多根碳纳米管构成晶体管，通过控制栅压的方式来实现存储器的存储与擦除。但是在以碳纳米管为基础的器件和电路制作中，碳纳米管的精确放置一直困扰着人们，现阶段，人们一般使用原子力显微镜(AFM)或扫描隧道显微镜(STM)控制单根碳纳米管将其拖拉到位，或者使用“随机取向”等特殊的方法。这些方法都有效率低，不易获得良好的接触等缺点。

发明内容

本发明的目的是为降低已有的碳纳米管存储器的电路结构比较复杂的缺点，减小在以碳纳米管为基础的器件的制作中碳纳米管的准确放置的制作难度，从而提供一种新型碳纳米管网络结构存储器及制备方法。

本发明提出的碳纳米管网络结构存储器，包括以硅为衬底，其表面是氧化形成的二氧化硅绝缘层，在二氧化硅绝缘层上设置有源极和漏极两个电极，及两个电极之间的碳纳米管网络通路；其中，所述的电极是在绝缘层上的淀积形成的，两个电极之间具有间距，利用光刻胶在两个电极之间刻蚀有一窗口，窗口的长度为两电极间距，在该窗口中淀积一层碳纳米管形成碳纳米管网络通路，并与两端的电极形成接触。

所述的制作源极、漏极两个电极的材料可以为贵金属，如为钯或金。

所述的碳纳米管可以是单壁碳纳米管。

本发明的另一个目的在于提供此碳纳米管网络结构存储器的制作方法，包括以下步骤：

1)选用硅作衬底材料，利用常规干氧氧化或湿氧氧化方法在上面形成氧化层，在氧化层上淀积源极和漏极两个电极；

2)利用光刻胶在两个电极之间刻蚀出一窗口，窗口的长度为两电极间距，在该窗口中淀积碳纳米管形成碳纳米管网络通路，并与两端的电极形成接触；

3)去除光刻胶，对器件进行封装。

所述的淀积碳纳米管网络薄层使用的是单壁碳纳米管溶液，此溶液中使用分离剂以避免单壁碳纳米管聚合成团。

本发明所述的碳纳米管网络结构存储器，其数据读写方法为：写入“1”时在衬底(背栅)施加正电压，写入“0”时在衬底施加负电压，通过在衬底施加零偏压、测量源极和漏极之间的电流读出存储的数据。

本发明所提出的新型碳纳米管网络结构存储器及制备方法可以有效地降低制作难度和生产成本。

附图说明

图1为本发明器件的结构示意图。

图2A-2D为依据本发明的一个实施例的制备过程示意图，其中图2A、图2B为剖面示意图，图2C、图2D为俯视图。

图3为碳纳米管网络薄层示意图。

图4为依据本发明的实例采用电压施加方法得到的电流电压回线。

图中标号：1.硅衬底，2.二氧化硅绝缘层，3.金属电极，4.碳纳米管网络。

具体实施方式

下面结合图示在参考实施例中更具体地描述本发明，本发明提供优选实施例，但不应该被认为仅限于在此阐述的实施例。在图中，为了方便说明，放大了层和区域的厚度，所示大小并不代表实际尺寸。

参考图是本发明的理想化实施例的示意图，本发明所示的实施例不应该被认为仅限于图中所示区域的特定形状，而是包括所得到的形状，比如制造引起的偏差。例如刻蚀得到的曲线通常具有弯曲或圆润的特点，但在本发明实施例中，均以矩形表示，图中的表示是示意性的，但这不应该被认为限制本发明的范围。