[发明专利]非晶硅/晶硅异质结太阳能电池制备方法

权利要求书

1.非晶硅/晶硅异质结太阳能电池制备方法，其特征在于，制备步骤为：

(1)用RCA方法清洗双面抛光p(n)型单晶硅片；

(2)以SA-6070号铝浆作为原料，在上述已清洗单晶硅片背面丝网印刷铝浆，然后在通氧条件下，700℃±20℃快速热退火1～2min，形成有欧姆接触的金属Al背电极；

(3)用1％～2％HF溶液清洗已有铝背电极的p(n)型单晶硅片，经大量去离子水冲洗后，放入腐蚀液进行绒面制备，腐蚀不少于25min后取出单晶硅片，并用大量去离子水冲洗；

(4)迅速将经氮气风干的单晶硅片放入PECVD真空室中，真空室本底真空度为3～6×10^-4Pa，用NH3处理单晶硅表面；

(5)在硅片温度为200℃～220℃条件下，以硅烷为反应气体，在上述经NH₃处理的p(n)型单晶硅片上沉积厚度为5～10nm的本征非晶硅薄膜；

(6)以磷烷和硅烷或硼烷和硅烷为反应气体，在上述的本征非晶硅薄膜/p(n)型单晶硅上，沉积厚度为18～25nm的n(p)型掺杂非晶硅薄膜；

(7)在上述n(p)型掺杂非晶硅薄膜/本征非晶硅薄膜/p(n)型单晶硅上沉积厚度为80～100nm，透过率≥85％，方块电阻为30～50Ω的透明导电薄膜；

(8)在上述透明导电膜上制备Ag栅极。

2.如权利要求1所述的非晶硅/晶硅异质结太阳能电池制备方法，其特征在于，所述步骤1中单晶硅片的厚度为220～250微米，电阻率为1～5Ω·cm。

3.如权利要求1所述的非晶硅/晶硅异质结太阳能电池制备方法，其特征在于，所述步骤3中进行绒面制备的腐蚀液由70gKOH、190ml异丙醇和40ml去离子水配制而成。

4.如权利要求1所述的非晶硅/晶硅异质结太阳能电池制备方法，其特征在于，步骤8中所述的栅极的厚度为5～10微米，栅线宽度为100～150微米，间距为2～3mm。