[发明专利]加热器驱动螺杆检测装置及方法无效
申请号: | 201010187346.9 | 申请日: | 2010-05-28 |
公开(公告)号: | CN101838801A | 公开(公告)日: | 2010-09-22 |
发明(设计)人: | 王喆;何雅彬;张杰 | 申请(专利权)人: | 上海宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | C23C16/52 | 分类号: | C23C16/52;C23C14/54;G01B21/00 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 郑玮 |
地址: | 201203 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 加热器 驱动 螺杆 检测 装置 方法 | ||
技术领域
本发明涉及半导体制造领域,尤其涉及加热器驱动螺杆检测装置及方法。
背景技术
应用材料公司(AMAT)的核心基础工具(centura base tool)-加热器(heater),主要靠螺杆驱动。在整个系统中均没有对螺杆的位置进行检测的部件。因此,在加热器螺杆工作时,其位置是否位于正确的沉积位置无从确定。当加热器螺杆的位置出现不良状况,则将会影响整个工艺的良率。如当所述加热器为沉积腔加热器时,加热器螺杆的位置没有位于正确的沉积位置时,则会造成晶圆上沉积膜厚的非正常化,从而影响晶圆的良率。
现在的解决方法是,一旦发现异常,则停止核心基础工具,但此时已经造成至少一片晶圆的损坏。
针对现有技术存在的问题,本案设计人凭借从事此行业多年的经验,积极研究改良,于是有了本发明加热器驱动螺杆检测装置及方法。
发明内容
本发明的目的是针对在现有技术中,传统的加热器驱动系统中均没有驱动螺杆检测部件,而使得驱动器螺杆位置是否处于正确的沉积位置无从确定,进而影响晶圆良率和沉积膜厚的非正常化等缺陷,提供一种加热器驱动螺杆检测装置。
本发明的又一目的是针对在现有技术中,传统的加热器驱动系统中均没有驱动螺杆检测部件,而使得驱动器螺杆位置是否处于正确的沉积位置无从确定,进而影响晶圆良率和沉积膜厚的非正常化等缺陷,提供一种加热器驱动螺杆的检测方法。
为达到上述目的,本发明采用如下技术方案:一种加热器驱动螺杆检测装置,包括:上升环,所述上升环用以在外力驱动下,带动加热器驱动螺杆检测装置由释放位置上升至原位;加热器,所述加热器位于上升环内部,用以为沉膜工艺加热;上升钉,贯穿设置在加热器上平台两侧;驱动螺杆,所述驱动螺杆设置在加热器底部,用以驱动加热器运动;其中,在所述驱动螺杆一侧设置具有下传感器和上传感器的固定基板,所述下传感器和所述上传感器分别与探测电路板电连接,探测电路板的输出端与大型机系统电连接。所述运动为加热器从原位上升至沉积位置或者所述运动为加热器从沉积位置下降至原位。所述下传感器检测位于原位的驱动螺杆。所述上传感器检测位于沉积位置的驱动螺杆。所述下传感器和上传感器的位置依据制程公差进行布置。所述固定基板为铁基板。
为达到上述又一目的,本发明采用如下的技术方案:一种具有所述的加热器驱动螺杆检测装置的驱动螺杆检测方法,包括:
加热器驱动螺杆检测装置处于释放位置;
加热器驱动螺杆检测装置由释放位置上升至原位;
下传感器进行原位检测;
加热器由原位上升至沉积位置;
上传感器进行沉积位置检测;
如果沉积位置检测结果为正确沉积位置,则探测电路板发出继续执行指令,与探测电路板电连接的大型机系统便进行后续的沉膜工艺;
如果沉积位置检测结果为非正确沉积位置,则探测电路板发出中止执行指令,与探测电路板电连接的大型机系统便中止后续的沉膜工艺。所述沉积位置检测为非正确沉积位置时,与探测电路板电连接的大型机系统发出触发警报。
与现有技术相比,本发明具有以下优点:本发明通过在加热器驱动螺杆检测装置中,设置与探测电路板电连接的下传感器和上传感器,并将所述探测电路板与大型机系统电连接,而在沉膜工艺之前对沉积位置进行正确性检测,进而避免晶圆的损坏和沉膜厚度的非正常化等问题。同时,增加沉膜工艺制程的可控性,并提升产品良率。
附图说明
图1是本发明加热器驱动螺杆检测装置的结构示意图。
图2是本发明加热器驱动螺杆检测装置的工作流程示意图。
具体实施方式
为详细说明本发明创造的技术内容、构造特征、所达成目的及功效,下面将结合实施例并配合附图予以详细说明。
请参阅图1,图1为加热器驱动螺杆检测装置1的结构示意图。所述加热器驱动螺杆检测装置1包括上升环10、位于上升环10内部的加热器11、贯穿设置在加热器11上平台两侧,且与上升环10上表面物理性接触的上升钉12,以及位于加热器11底部,用以驱动加热器11上下运动的驱动螺杆13。其中,在所述驱动螺杆13一侧设置固定基板14。所述固定基板14上纵向设置下传感器141和上传感器142。所述下传感器141和所述上传感器142与所述探测电路板15电连接。探测电路板15的输出端与大型机系统16电连接。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海宏力半导体制造有限公司,未经上海宏力半导体制造有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010187346.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的