[发明专利]化学汽相沉积设备

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求2009年6月4日递交的韩国专利申请P2009-0049423的权益，在此援引该申请的全部内容作为参考。

技术领域

本发明涉及一种化学汽相沉积设备，更具体地，涉及一种能够通过延长清洁循环而改进产量的化学汽相沉积设备。

背景技术

通常使用诸如溅射等的利用物理反应的物理汽相沉积(PVD)方法、或使用利用化学反应的化学汽相沉积(CVD)方法在太阳能电池、半导体器件或平板显示面板的基板(例如，晶片、塑料基板或玻璃)上沉积具有预定厚度的薄膜。

如用CVD方法，首先给处理腔室提供气态组分材料，接下来通过化学反应在基板(或晶片)上沉积所需的薄膜。与PVD方法相比，由于CVD方法的优势在于获得例如基板上薄膜的优良的台阶覆盖这样的优良沉积特性以及优良的均匀性和产量，因此CVD方法广泛地应用于许多领域。CVD方法可以主要分类为低压化学汽相沉积(LPCVD)、常压化学汽相沉积(APCVD)、低温化学汽相沉积(LTCVD)、等离子体增强化学汽相沉积(PECVD)和金属有机化学汽相沉积(MOCVD)。

图1表示根据现有技术的化学汽相沉积设备。

如图1所示，根据现有技术的化学汽相沉积设备包括：具有支撑基板12的基板支撑件14的腔室10；安装在腔室10上方的腔室盖20；和向基板12喷射处理源的源喷射组件30，其中源喷射组件30安装在腔室10的内部并贯穿腔室盖20。

腔室10提供预定的反应空间。腔室10的一侧有排出处理源的排气孔(未示出)。

基板支撑件14安装在腔室10内的底部，基板支撑件14支撑从外部提供的基板12。

腔室盖20安装在腔室10的上方，腔室盖20密封腔室10的反应空间。这里，可在腔室10与腔室盖20之间安装密封件15。

源喷射组件30包括源供应管32、多个源喷射管34和多个源喷射孔36。

源供应管32贯穿腔室盖20，源供应管32分支为多个支管以与多个源喷射管34连通。

多个源喷射管34以固定的间隔设置在腔室10内，多个源喷射管34与源供应管32的分支的支管连通，由此从源供应管32提供处理源到多个源喷射管34。

多个源喷射孔36以固定的间隔设置在各个源喷射管34中，由此通过多个源喷射孔36将供应到源喷射管34的处理源(S)喷射到基板12上。

在根据现有技术的化学汽相沉积设备中，腔室10的内部保持恒定的温度，由源喷射组件30喷射处理源到反应空间，由此在基板12上沉积薄膜材料。

若应用上述薄膜沉积处理，则薄膜材料沉积到基板12上且沉积到不期望的部分上。例如，薄膜材料可能沉积到腔室10的内壁上、基板支撑件14的除了支撑基板12的部分之外的上表面和/或侧表面的预定部分上以及源喷射组件30的下表面上。特别是，如果薄膜材料沉积到源喷射孔36的周围，则可能改变源喷射孔36的大小，以致很难在基板12上形成均匀的薄膜。

为了在基板12上形成均匀的薄膜，必须周期性地清洁源喷射孔36的周围，以此从源喷射孔36的周围除去薄膜材料。

然而，只要在需要进行上述清洁处理时，就必须关闭根据现有技术的化学汽相沉积设备。接下来，在拆卸化学汽相沉积设备后，将源喷射组件30与腔室盖20分离，随后进行清洁处理，以从源喷射孔36的周围除去薄膜材料。这些复杂的清洁步骤不可避免地造成设备的可操作时间的减少，从而降低了设备的可操作性。另外，完成源喷射组件30的清洁步骤后，需要额外的步骤以从腔室10的内部除去湿气和异物，并将腔室10的内部调整至稳定的压力和温度。还有，需要在模型基板上进行测试沉积处理，以检查基板上沉积的薄膜中的均匀性和颗粒污染程度，由于测试沉积步骤耗费许多小时，因而导致了产量的下降。

最后，考虑到产量问题，最好尽可能长地延长源喷射组件30的清洁循环。

发明内容

因此，本发明涉及一种基本上避免了由现有技术的缺陷与不足造成的一或多个问题的化学汽相沉积设备。

本发明的一个优点是提供一种能够通过延长清洁循环而改进产量的化学汽相沉积设备。

本发明的其它特点和方面将在随后的说明书中列出，对本领域的普通技术人员来说，通过对下文的检验，这些特点和方面的一部分是显而易见的或者可以从本发明的实施领会。通过说明书文字部分、权利要求书以及所附附图中特别指出的结构，可以领会与获得本发明的目的和其它优点。