[发明专利]多晶封装发光二极管

说明书

技术领域

本发明涉及一种发光二极管，尤其涉及一种能够直接使用交流电源供电的多晶封装发光二极管。

背景技术

目前，发光二极管(Light Emitting Diode，LED)因具有功耗低、寿命长、体积小及亮度高等特性已经被广泛应用到很多领域。

在发光二极管封装技术中，多晶封装(Multi-Chip Module，简称：MCM)是指复数个半导体发光二极管芯片封装成为一颗发光体。现有多晶封装发光二极管采用直流驱动。一般地，为发光二极管供电的驱动电路方案有两种，一种是通过传统的交流变压、整流、串联稳压等环节来获得直流驱动；一种是采用较先进的开关电源直接产生所需的直流稳压电源。前者因为使用了变压器、限流电阻等装置，具有成本高、能耗大、质量重等缺点，后者应用较为普遍，虽然具有较低的能耗，但结构复杂，成本也较高。

发明内容

下面将以实施例说明一种能够直接使用交流电源供电的多晶封装发光二极管。

一种多晶封装发光二极管，其包括：多个发光二极管芯片，一个封装基板，以及一个封装体。每个发光二极管芯片具有一个正极以及一个负极。该封装基板上形成有电路层，该电路层包括多个焊接点，每个发光二极管芯片的正极与负极分别与一个焊接点电连接，以使该多个发光二极管芯片形成至少两个分别正向串联的芯片组，该至少两个芯片组反向并联，该封装体设置在该封装基板上，用以覆盖该多个发光二极管芯片。

相对于现有技术，所述多晶封装发光二极管所包括的多个发光二极管芯片形成反向并联的芯片组，因此，该多晶封装发光二极管可以直接由交流电源供电，而无需设置桥式整流器，电路结构简单。

附图说明

图1是本发明第一实施例的多晶封装发光二极管的立体示意图。

图2是图1的发光二极管芯片覆晶封装在封装基板上的结构示意图。

图3是图1中封装基板上的焊接区域示意图。

图4是图3中的电路等效示意图。

图5是本发明第二实施例提供的多晶封装发光二极管的等效电路示意图。

图6是本发明第三实施例提供的多晶封装发光二极管的等效电路示意图。

图7是本发明第四实施例提供的多晶封装发光二极管的等效电路示意图。

主要元件符号说明

多晶封装发光二极管    10、70、80、90

封装基板              20

电路层                21

焊接区域              22

N型焊接点             23

P型焊接点             24

连接金属              25

第一芯片组            26、701、801

第二芯片组            27、702、802

发光二极管芯片        30、71、81、91

外延基底              31

缓冲层        32

多层磊晶结构  33

N型半导体层   34

N型电极       341

半导体活性层  35

P型半导体层   36

透明电极层    37

P型电极       371

N型连接材料   38

P型连接材料   39

封装体        40

散热基板      50

滑动电阻      706、707、806、906

表面          381

外表面        41

具体实施方式

下面将结合附图对本发明实施例作进一步的详细说明。

请参阅图1、图2与图3，本发明第一实施例提供一种多晶封装发光二极管10，其包括：一个封装基板20，多个设置在该封装基板20上的发光二极管芯片30，以及一个用于覆盖该多个发光二极管芯片30的封装体40。