[发明专利]一种改性CaBi2Nb2O9铋层状结构压电陶瓷材料及其制备方法

权利要求书

1.一种改性CaBi₂Nb₂O₉铋层状结构压电陶瓷材料，其组成通式表示为：(Sm_xBi_2-xO₂)²⁺(Sr_yCa_1-y-zBi_zNb_2-m-nTa_mW_nO₇)^2-，式中0≤x≤0.5，0≤y≤0.2，0≤z≤0.2，0≤m≤0.2，0≤n≤0.3。

2.如权利要求1中所述的改性CaBi₂Nb₂O₉铋层状结构压电陶瓷材料，其特征在于，所述改性CaBi₂Nb₂O₉铋层状结构压电陶瓷材料的组成通式为(Sm_xBi_2-xO₂)²⁺(Sr_yCa_1-y-zBi_zNb_2-m-nTa_mW_nO₇)^2-，式中0.01≤x≤0.5，0.02≤y≤0.2，0.02≤z≤0.2，0≤m≤0.2，0.02≤n≤0.3。

3.如权利要求1中所述的改性CaBi₂Nb₂O₉铋层状结构压电陶瓷材料，其特征在于，所述改性CaBi₂Nb₂O₉铋层状结构压电陶瓷材料的化学组成表示为：(Sm_0.02Bi_1.98O₂)²⁺(Sr_0.02Ca_0.96Bi_0.02Nb_1.94Ta_0.04W_0.02O₇)^2-。

4.如权利要求1中所述的改性CaBi₂Nb₂O₉铋层状结构压电陶瓷材料，其特征在于，所述改性CaBi₂Nb₂O₉铋层状结构压电陶瓷材料的化学组成表示为：(Bi₂O₂)²⁺(Ca_0.96Bi_0.04Nb_1.94W_0.06O₇)^2-。

5.如权利要求1中所述的改性CaBi₂Nb₂O₉铋层状结构压电陶瓷材料，其特征在于，所述改性CaBi₂Nb₂O₉铋层状结构压电陶瓷材料的化学组成表示为：(Sm_0.03Bi_1.97O₂)²⁺(Ca_0.96Bi_0.04Nb_1.92Ta_0.04W_0.04O₇)^2-。

6.权利要求1～5中任一权利要求所述的改性CaBi₂Nb₂O₉铋层状结构压电陶瓷材料的制备方法，该制备方法依次包括球磨工艺、合成、烧结、氧化和极化工艺技术，其中，所述球磨工艺为行星球磨工艺；所述合成条件为700℃～900℃下的敞开粉末合成，且合成时间为1～4h；所述烧结温度为1000℃～1200℃，烧结时间为0.5～4h；所述氧化处理条件为500℃～1000℃的温度条件下氧化处理1～4h；所述极化工艺的条件为温度150℃～210℃，电压8～16kV/mm，时间10～30min。