[发明专利]一种改性CaBi2Nb2O9铋层状结构压电陶瓷材料及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201010189011.0 申请日: 2010-05-31
公开(公告)号: CN102260080A 公开(公告)日: 2011-11-30
发明(设计)人: 李玉成;姚烈;董显林 申请(专利权)人: 中国科学院上海硅酸盐研究所
主分类号: C04B35/495 分类号: C04B35/495;C04B35/622
代理公司: 上海光华专利事务所 31219 代理人: 许亦琳;余明伟
地址: 200050 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 改性 cabi sub nb 层状 结构 压电 陶瓷材料 及其 制备 方法
【说明书】:

技术领域

发明属于压电陶瓷领域,具体涉及一种改性CaBi2Nb2O9铋层状结构压电陶瓷材料及其制备方法。

背景技术

对振动量的检测,几乎涉及到每个工程领域。要检测振动就必需振动传感器,压电加速度传感器是其中应用最广、品种最多的传感器之一。在火电发电机组、冶金轧钢机和钢板碾压机和其它大型运转设备等重要设备的振动检测中,都离不开高温压电加速度传感器。其中使用量最多的是300℃~500℃的高温压电加速度计

目前高温压电传感器件的应用对压电陶瓷材料提出了更高的要求:(1)在高温下(480℃-550℃)具有较高的体电阻率;(2)在高温下具有较好的压电稳定性;(3)电容随温度的变化要小,具有优良的性能稳定性。因而研究符合上述要求的高温压电陶瓷材料是高温压电加速度计等高温压电传感器件的基础。

现有技术中,常规的铋层状型压电陶瓷材料的化学通式为:(Bi2O2)2+(Am-1BmO3m+1)2-,其中CaBi2Nb2O9相对应的化学式为:(Bi2O2)2+(CaNb2O7)2-,A位是Ca2+,B位是Nb5+离子,m=2。纯CaBi2Nb2O9的压电常数d33<7pC/N,介电损耗tanδ>1.5%,高温下的直流电阻率比较低(ρv(500℃)<107Ω·cm),其性能根本无法满足高温(450-550℃)下的使用要求。因此,如何提供一种能够在高温范围内稳定使用的铋层状型压电陶瓷材料已经成为本领域技术人员所亟待解决的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种改性CaBi2Nb2O9铋层状结构压电陶瓷材料及其制备方法。本发明的改性CaBi2Nb2O9铋层状结构压电陶瓷材料能在高温范围(480℃-550℃)内稳定使用。

本发明采用如下技术方案解决上述技术问题:

一种改性CaBi2Nb2O9铋层状结构压电陶瓷材料,其组成通式表示为:(SmxBi2-xO2)2+(SryCa1-y-zBizNb2-m-nTamWnO7)2-,式中0≤x≤0.5,0≤y≤0.2,0≤z≤0.2,0≤m≤0.2,0≤n≤0.3;式中,x、y、z、m和n均表示摩尔比例。

较佳的,所述改性CaBi2Nb2O9铋层状结构压电陶瓷材料的组成通式为(SmxBi2-xO2)2+(SryCa1-y-zBizNb2-m-nTamWnO7)2-,式中0.01≤x≤0.5,0.02≤y≤0.2,0.02≤z≤0.2,0≤m≤0.2,优选为0.04≤m≤0.2,0.02≤n≤0.3;式中,x、y、z、m和n均表示摩尔比例。

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