[发明专利]逻辑信号传送电路

权利要求书

1.一种逻辑信号传送电路，包含：

一互补式金属氧化物半导体反相器，包含一P型晶体管以及一N型晶体管，并用以反相一输入信号；

一第一晶体管开关，连接于该互补式金属氧化物半导体反相器的一输入端；以及

一反相器，连接于该P型晶体管和该第一晶体管开关之间，其中当该第一晶体管开关开启时，该反相器关闭该P型晶体管，当该第一晶体管开关关闭时，该反相器开启该P型晶体管。

2.如权利要求1所述的逻辑信号传送电路，其中当该输入信号发出而具有高电平时，该N型晶体管由该输入信号开启，以将该互补式金属氧化物半导体反相器的一输出端拉降至一接地电压。

3.如权利要求2所述的逻辑信号传送电路，其中当该输入信号发出而具有低电平时，该第一晶体管开关由该输入信号关闭，使得该P型晶体管开启而将该互补式金属氧化物半导体反相器的该输出端拉升至一电源电压。

4.如权利要求1所述的逻辑信号传送电路，其中当该输入信号的电压电平增加而于达到一最大值之前使得该第一晶体管开关开启时，该反相器的一输入端经由该第一晶体管开关拉降至一接地电压，且该反相器的一输出端拉升至一电源电压。

5.如权利要求1所述的逻辑信号传送电路，还包含：

一第二晶体管开关，连接于该第一晶体管开关和该反相器的一输入端之间，且由该输入信号控制。

6.如权利要求5所述的逻辑信号传送电路，其中当该输入信号的电压电平增加而于达到一最大值之前使得该第一晶体管开关和该第二晶体管开关开启时，该反相器的该输入端经由该第一晶体管开关和该第二晶体管开关拉降至一接地电压，且该反相器的一输出端拉升至一电源电压。

7.如权利要求5所述的逻辑信号传送电路，还包含：

一磁滞晶体管，用以赋予该逻辑信号传送电路一磁滞特性。

8.如权利要求7所述的逻辑信号传送电路，其中该磁滞晶体管与该第二晶体管开关串迭连接，该磁滞晶体管与该第一晶体管开关并联相接。

9.如权利要求8所述的逻辑信号传送电路，其中该磁滞晶体管是由该反相器所控制。

10.如权利要求1所述的逻辑信号传送电路，还包含：

一启始晶体管，用以启始该互补式金属氧化物半导体反相器。

11.一种逻辑信号传送电路，包含：

一互补式金属氧化物半导体反相器，包含一P型晶体管以及一N型晶体管，该N型晶体管与该P型晶体管串迭连接；

一第一晶体管开关，该第一晶体管开关的控制端连接于该N型晶体管的栅极；以及

一反相器，具有一输入端以及一输出端，该输出端连接于该P型晶体管的栅极，该第一晶体管开关连接于该反相器和一接地电压之间。

12.如权利要求11所述的逻辑信号传送电路，还包含：

一第二晶体管开关，该第二晶体管开关的控制端连接于该N型晶体管的栅极，该第二晶体管开关与该第一晶体管开关串迭连接，并连接于该第一晶体管开关和该反相器的该输入端之间。

13.如权利要求12所述的逻辑信号传送电路，其中当该输入信号发出至该N型晶体管的栅极，且该输入信号的电压电平增加而于达到一最大值之前使得该第一晶体管开关和该第二晶体管开关开启时，该反相器的该输入端经由该第一晶体管开关和该第二晶体管开关拉降至该接地电压，而该反相器的该输出端拉升至一电源电压。

14.如权利要求12所述的逻辑信号传送电路，还包含：

一磁滞晶体管，该磁滞晶体管的控制端连接于该反相器的该输出端，该磁滞晶体管与该第二晶体管开关串迭连接，该磁滞晶体管与该第一晶体管开关并联相接。

15.如权利要求14所述的逻辑信号传送电路，其中当该磁滞晶体管与该第一晶体管开关和该第二晶体管开关共同操作时，该磁滞晶体管赋予该逻辑信号传送电路一磁滞特性。

16.如权利要求14所述的逻辑信号传送电路，还包含：

一启始晶体管，该启始晶体管的控制端用以接收一启始信号，并连接于该N型晶体管的栅极和该接地电压之间。

17.如权利要求16所述的逻辑信号传送电路，还包含：

一电流源，连接于一电源电压和该P型晶体管之间。