[发明专利]阵列基板及其制造方法、液晶显示器

权利要求书

1.一种阵列基板制造方法，包括在衬底基板上形成电极线图案和像素电极图案，其特征在于，形成所述电极线图案的步骤包括：

沉积一导电层，并通过构图工艺形成电镀电极；

通过电镀工艺在所述电镀电极上电镀形成由金属铜薄膜构成的所述电极线图案。

2.根据权利要求1所述的阵列基板制造方法，其特征在于，所述沉积一导电层，并通过构图工艺形成电镀电极，包括：

沉积一导电层；

在所述导电层的上方涂覆光刻胶，对所述光刻胶进行曝光显影后形成对应于所述电极线图案的凹槽；

所述通过电镀工艺在所述电镀电极上电镀形成由金属铜薄膜构成的所述电极线图案，包括：通过电镀工艺在所述凹槽内电镀形成由金属铜薄膜构成的所述电极线图案。

3.根据权利要求2所述的阵列基板制造方法，其特征在于，所述电极线图案为栅线和/或栅电极。

4.根据权利要求3所述的阵列基板制造方法，其特征在于，所述导电层为透明导电层。

5.根据权利要求4所述的阵列基板制造方法，其特征在于，所述对所述光刻胶进行曝光显影后形成对应于所述电极线图案的凹槽，包括：

采用半色调或灰色调掩模板对光刻胶进行曝光，显影后形成不曝光区域、部分曝光区域和完全曝光区域；

所述不曝光区域对应于透明像素电极区域，所述完全曝光区域对应于凹槽区域，所述凹槽区域对应于栅线和/或栅电极区域，所述部分曝光区域对应于除去所述透明像素电极、栅线/或栅电极之外的区域；显影工艺后形成所述凹槽。

6.根据权利要求5所述的阵列基板制造方法，其特征在于，还包括：通过灰化工艺去除部分曝光区域的光刻胶，暴露出该区域的透明导电层；通过刻蚀工艺刻蚀掉部分曝光区域的透明导电层，最终形成透明像素电极。

7.根据权利要求2所述的阵列基板制造方法，其特征在于，所述电极线图案为数据线和/或源漏电极。

8.根据权利要求7所述的阵列基板制造方法，其特征在于，所述导电层为透明导电层。

9.根据权利要求8所述的阵列基板制造方法，其特征在于，所述对所述光刻胶进行曝光显影后形成对应于所述电极线图案的凹槽，包括：

采用半色调或灰色调掩模板对光刻胶进行曝光，显影后形成不曝光区域、部分曝光区域和完全曝光区域；

所述不曝光区域对应于透明像素电极区域，所述完全曝光区域对应于凹槽区域，所述凹槽区域对应于数据线和/或源漏电极区域，所述部分曝光区域对应于除去所述透明像素电极、数据线和/或源漏电极之外的区域；显影工艺后形成所述凹槽。

10.根据权利要求9所述的阵列基板制造方法，其特征在于，还包括：通过灰化工艺去除部分曝光区域的光刻胶，暴露出该区域的透明导电层；通过刻蚀工艺刻蚀掉部分曝光区域的透明导电层，最终形成透明像素电极。

11.根据权利要求1～10任一所述的阵列基板制造方法，其特征在于，所述通过电镀工艺在所述电镀电极上电镀形成由金属铜薄膜构成的所述电极线图案，包括：

通过调整电解液的溶液浓度、电流密度和电解时间控制所述金属铜薄膜的沉积厚度和均匀性。

12.根据权利要求11所述的阵列基板制造方法，其特征在于，所述电解液包括含有铜离子的盐和酸的混合溶液。

13.根据权利要求1～10任一所述的阵列基板制造方法，其特征在于，还包括：对TFT沟道进行一氧化工艺，在所述TFT沟道的表面形成一层硅的氧化物保护膜。

14.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括衬底基板，以及形成在所述衬底基板上的电极线图案和像素电极图案；所述电极线图案由金属铜薄膜构成，且所述电极线图案的下层设置有一电镀电极。

15.根据权利要求14所述的阵列基板，其特征在于，所述电极线图案为栅线和/或栅电极。

16.根据权利要求14所述的阵列基板，其特征在于，所述电极线图案为数据线和/或源漏电极。

17.根据权利要求14～16任一所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极图案和所述电镀电极同层设置。

18.一种液晶显示器，包括对盒设置的阵列基板和彩膜基板，所述阵列基板和彩膜基板之间填充有液晶层；其特征在于，所述阵列基板采用权利要求14～17任一所述的阵列基板。