[发明专利]阵列基板及其制造方法、液晶显示器

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示技术，特别涉及一种阵列基板及其制造方法、液晶显示器。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，简称：TFT-LCD)具有体积小、功耗低、无辐射等特点，在当前的平板显示器市场中占据了主导地位。TFT-LCD由阵列基板和彩膜基板对盒形成，其中，阵列基板包括衬底基板和形成在该衬底基板上的导电图案和绝缘层，导电图案包括栅线、数据线等，栅绝缘层和钝化层等统称为绝缘层。近年来，TFT-LCD获得了飞速的发展，其尺寸和分辨率不断提高，大尺寸、高分辨率的液晶电视成为TFT-LCD发展的一个主流。

目前，制作TFT-LCD阵列基板上的栅线金属和数据线金属一般采用化学性质比较稳定的电阻率比较高的Ta、Cr、Mo等金属或是合金作为金属电极的材料。随着TFT-LCD尺寸的不断增大，分辨率的不断提高，栅线的长度也随之增加，根据TFT-LCD信号的延迟时间T主要由T＝RC(其中，R为信号线电阻，C为相关电容)决定的原理，信号延迟的时间也随之增大，图像信号的延迟变得更为严重，使得某些像素得不到充分的充电，造成亮度不均匀，使得TFT-LCD的对比度下降，严重地影响了图像的显示质量。为此，现在提出了用低电阻金属铜制作栅线和数据线，在工艺实现中一般采用溅射的方法沉积金属铜薄膜，然后进行刻蚀。

但是，采用金属铜制作栅线和数据线的工艺中，尚存在以下的技术缺陷：首先，溅射沉积铜薄膜并刻蚀的方法使得大量材料无法重复使用，靶材利用率低；其次，溅射和刻蚀形成的金属铜薄膜对基板的黏附力差；再次，关键的是，铜薄膜的刻蚀能力差，无论采用干法刻蚀还是湿法刻蚀都很难刻蚀金属铜薄膜，刻蚀效果不理想。以上因素都致使不能普遍采用金属铜制作栅线和数据线，产品的良品率低，严重地制约了金属铜在TFT-LCD的应用，阻碍了大尺寸、高分辨率的液晶电视的发展。

发明内容

本发明的目的是提供一种阵列基板及其制造方法、液晶显示器，使得阵列基板中的电极线图案采用金属铜制作，且工艺效果好，提高产品的良品率。

本发明提供了一种阵列基板制造方法，包括在衬底基板上形成电极线图案和像素电极图案，形成所述电极线图案的步骤包括：

沉积一导电层，并通过构图工艺形成电镀电极；

通过电镀工艺在所述电镀电极上电镀形成由金属铜薄膜构成的所述电极线图案。

本发明提供了一种阵列基板，所述阵列基板包括衬底基板，以及形成在所述衬底基板上的电极线图案和像素电极图案；所述电极线图案由金属铜薄膜构成，且所述电极线图案的下层设置有一电镀电极。

本发明提供了一种液晶显示器，包括对盒设置的阵列基板和彩膜基板，所述阵列基板和彩膜基板之间填充有液晶层；所述阵列基板为上述的阵列基板。

本发明的阵列基板及其制造方法、液晶显示器，通过采用电镀工艺制作阵列基板上的金属铜薄膜材料的电极线图案，省去了现有技术中制作铜电极线图案最难的刻蚀工艺，解决了金属铜刻蚀效果差的问题，使得电镀形成的金属铜电极线图案非常致密、均匀，且导电性能好，黏附力强。

附图说明

图1为本发明阵列基板制造方法实施例一的流程示意图；

图2为本发明阵列基板制造方法中第一次光刻之后曝光显影的平面图；

图3为本发明阵列基板制造方法中第一次光刻之后曝光显影的截面图；

图4为本发明阵列基板制造方法中第一次光刻电镀铜之后的平面图；

图5为本发明阵列基板制造方法中第一次光刻电镀铜之后的截面图；

图6为本发明阵列基板制造方法中第一次光刻光刻胶灰化之后的平面图；

图7为本发明阵列基板制造方法中第一次光刻光刻胶灰化之后的截面图；

图8为本发明阵列基板制造方法中第一次光刻刻蚀之后的平面图；

图9为本发明阵列基板制造方法中第一次光刻刻蚀之后的截面图；

图10为本发明阵列基板制造方法中第二次光刻之后的平面图；

图11为本发明阵列基板制造方法中第二次光刻之后的截面图；

图12为本发明阵列基板制造方法中第三次光刻之后的平面图；

图13为本发明阵列基板制造方法中第三次光刻之后的截面图；

图14为本发明阵列基板制造方法实施例二的流程示意图。

11-衬底基板；  12-透明导电层；    13-光刻胶；

14-凹槽；      15-栅线；          16-栅电极；