[发明专利]一种硅提纯的方法无效
| 申请号： | 201010190230.0 | 申请日： | 2010-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN102260909A | 公开（公告）日： | 2011-11-30 |
| 发明（设计）人： | 沈益顺;司雷;彭少波;吴志能 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B28/06;C22B3/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518118 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提纯 方法 | ||
1.一种硅提纯的方法，其特征在于，步骤包括将原料硅与铝及金属添加剂混合得混合物，混合物加热熔融，于1350～1750℃保持0.5～20小时，后降温到500～650℃析出硅，得提纯硅；所述原料硅与铝的质量比为1∶0.4～1∶5，所述金属添加剂为钛和/或钒。
2.根据权利要求1所述的硅提纯的方法，其特征在于，所述降温析出硅包括在结晶器上析出硅。
3.根据权利要求1所述的硅提纯的方法，其特征在于，所述金属添加剂与原料硅与铝中的杂质硼的质量比为100∶1～5∶1。
4.根据权利要求3所述的硅提纯的方法，其特征在于，所述金属添加剂与原料硅与铝中的杂质硼的质量比为40∶1～15∶1。
5.根据权利要求1所述的硅提纯的方法，其特征在于，以原料硅的总量为基准，所述原料硅中的杂质硼的质量含量为5-100PPM。
6.根据权利要求1所述的硅提纯的方法，其特征在于，所述金属添加剂的纯度大于99.0％。
7.根据权利要求1所述的硅提纯的方法，其特征在于，所述加热的升温速率为5～40℃/min。
8.根据权利要求1所述的硅提纯的方法，其特征在于，所述加热包括多段升温，包括以20～40℃/min的速率升温至700℃，再以5～20℃/min的速率升温至1400℃，后以15～35℃/min的速率升温至1750℃。
9.根据权利要求1所述的硅提纯的方法，其特征在于，所述原料硅的纯度大于99.0％，所述铝的纯度大于99.0％。
10.根据权利要求1所述的硅提纯的方法，其特征在于，所述步骤还包括将提纯硅破碎、研磨及湿法提纯，所述湿法提纯包括将研磨后的提纯硅于酸性溶液中浸泡2～6小时，后过滤干燥；浸泡的温度为30～120℃。
11.根据权利要求10所述的硅提纯的方法，其特征在于，所述研磨后的提纯硅的粒度为100-200目；所述酸性溶液为王水和硫酸的混合液。
12.根据权利要求1所述的硅提纯的方法，其特征在于，所述步骤还包括真空熔炼和定向凝固。
13.根据权利要求12所述的硅提纯的方法，其特征在于，所述定向凝固的起始温度为1500～1700℃，自下而上的速度为0.10～2.0mm/min；
所述真空熔炼的真空度为1×10-1Pa～1×10-5Pa，温度为1350～1700℃，时间为2～10小时。
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