[发明专利]接合方法及接合体无效
申请号: | 201010190282.8 | 申请日: | 2010-05-26 |
公开(公告)号: | CN101899267A | 公开(公告)日: | 2010-12-01 |
发明(设计)人: | 佐藤充;山本隆智;内藤信宏;今村峰宏 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | C09J5/00 | 分类号: | C09J5/00;C09J187/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 张宝荣 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 接合 方法 | ||
1.一种接合方法,其特征在于,包括:
准备欲通过接合膜相互接合的第一基材和第二基材,通过向所述第一基材及所述第二基材的至少一方供给含有聚酯改性硅酮材料的液态材料而形成液态覆膜的工序,所述聚酯改性硅酮材料通过硅酮材料与聚酯树脂进行脱水缩合反应而得到,所述硅酮材料具有在分支部具有下述化学式(1)表示的单元结构、在连接部具有下述化学式(2)及下述化学式(3)中的至少一个表示的单元结构、在末端部具有下述化学式(4)及下述化学式(5)中的至少一个表示的单元结构的呈分支状的聚有机硅氧烷骨架,所述聚酯树脂通过三羟甲基丙烷与对苯二甲酸进行酯化反应而得到;
将所述液态覆膜干燥和/或固化,在所述第一基材及所述第二基材的至少一个上得到接合膜的工序;
通过对所述接合膜赋予能量而使所述接合膜的表面附近显现胶粘性的工序;和
通过该显现胶粘性的接合膜使所述第一基材与所述第二基材接触,得到通过所述接合膜使所述第一基材与所述第二基材接合而成的接合体的工序;
R1-Si-X3 (1)
式中,各R1各自独立地表示甲基或苯基,X表示硅氧烷残基。
2.如权利要求1所述的接合方法,其中,
所述能量对所述接合膜的赋予,通过使等离子体与所述接合膜接触来进行。
3.如权利要求2所述的接合方法,其中,
所述等离子体的接触在大气压下进行。
4.如权利要求2或3所述的接合方法,其中,
所述等离子体的接触,在向相互对置的电极间施加了电压的状态下, 在它们之间导入气体,由此将等离子体化的所述气体供给到所述接合膜来进行。
5.如权利要求4所述的接合方法,其中,
所述电极间的距离为0.5~10mm。
6.如权利要求4或5所述的接合方法,其中,
在所述电极间施加的电压为1.0~3.0kVp-p。
7.如权利要求4至6中任一项所述的接合方法,其中,
所述等离子体通过将以氦气为主成分的气体等离子体化而得到。
8.如权利要求4至7中任一项所述的接合方法,其中,
所述等离子体通过将以氦气为主成分的气体等离子体化而得到,该气体向所述电极间的供给速度为1~20SLM。
9.如权利要求7或8所述的接合方法,其中,
所述气体中的所述氦气的含量为85体积%以上。
10.一种接合体,其特征在于,
利用权利要求1至9中任一项所述的接合方法,通过所述接合膜使所述第一基材与所述第二基材接合而成。
11.如权利要求10所述的接合体,其中,
所述接合膜主要由所述聚酯改性硅酮材料构成。
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