[发明专利]集成电路的制造方法

权利要求书

1.一种方法，包括：

提供一基底；

形成一硬掩模层于该基底之上；

形成一图案化光致抗蚀剂层于该硬掩模层之上，使得该硬掩模层的一部分暴露出来；

以一干蚀刻工艺移除该硬掩模层暴露出来的该部分；

利用氮气等离子体灰化与氢气等离子体灰化的其中至少一种移除该图案化光致抗蚀剂层；以及

以一湿蚀刻工艺移除该硬掩模层剩余的部分。

2.如权利要求1所述的方法，其中在该基底之上形成该硬掩模层的步骤包括形成一含有硅氧烷高分子的硬掩模层。

3.如权利要求2所述的方法，其中形成该含有硅氧烷高分子的硬掩模层的步骤包括利用一具有环状结构的硅氧烷高分子，该环状结构包含双键。

4.如权利要求2所述的方法，其中该硬掩模层为一旋转涂布玻璃层。

5.如权利要求1所述的方法，其中该湿式蚀刻工艺包括使用氢氧化四甲基铵(TMAH)溶液。

6.如权利要求1所述的方法，还包括：

在该硬掩模层与该基底之间形成一材料层；以及

于移除该硬掩模层暴露出来的该部分之后，进行湿蚀刻工艺移除该材料层暴露出来的部分。

7.一种方法，包括：

提供一基底，具有一包含一栅极结构的第一区以及一包含一栅极结构的第二区，其中在该些栅极结构的开口中部分地填充一高介电常数介电层与一第一导电层；

形成一含有硅氧烷高分子的硬掩模层于该基底之上，其中该硬掩模层填充该些栅极结构的该些开口的剩余的部分；

形成一图案化光致抗蚀剂层于该硬掩模层之上，使得在该第一区的该硬掩模层暴露出来；

以一干蚀刻工艺移除在该第一区暴露出来的该硬掩模层；

以一灰化工艺移除该图案化光致抗蚀剂层；

以一湿蚀刻工艺从该第一区的该栅极结构中移除该第一导电层；以及

以另一湿式蚀刻工艺移除在该第二区的该硬掩模层。

8.如权利要求7所述的方法，其中该灰化工艺包括使用氮气等离子体、氢气等离子体或前述的组合。

9.如权利要求7所述的方法，其中以该湿式蚀刻工艺从该第一区的该栅极结构中移除该第一导电层的步骤包括使用氨水/双氧水混合(APM)溶液。

10.如权利要求7所述的方法，其中以该另一湿式蚀刻工艺移除在该第二区的该硬掩模层的步骤包括使用氢氧化四甲基铵溶液。

11.如权利要求7所述的方法，还包括在该第一区的该栅极结构中形成一第二导电层。

12.一种集成电路的制造方法，包括：

提供一基底，具有一第一区与一第二区；

在该第一区形成一第一栅极结构，且在该第二区形成一第二栅极结构，其中该第一与该第二栅极结构包含一伪栅极；

从该第一与该第二栅极结构中移除该伪栅极，由此在该第一与该第二栅极结构内形成一开口；

形成一高介电常数介电层、一覆盖层与一第一导电层，部分地填充在该第一与该第二栅极结构的该开口内；

在该基底之上形成一包含硅氧烷高分子的硬掩模层，其中该硬掩模层填充该第一与该第二栅极结构的该开口的剩余的部分；

在该硬掩模层之上形成一图案化光致抗蚀剂层，使得该第一区的该硬掩模层通过该图案化光致抗蚀剂层暴露出来；

以一干蚀刻工艺移除该第一区的该硬掩模层，包含从该第一栅极结构中移除该硬掩模层，由此在该第一栅极结构中形成另一开口，使得该第一导电层暴露出来；

以一灰化工艺移除该图案化光致抗蚀剂层，其中该灰化工艺包含使用氮气等离子体、氢气等离子体或前述的组合；

以一湿蚀刻工艺移除在该第一栅极结构的该另一开口中暴露出来的该第一导电层；

形成一第二导电层，部分地填充在该第一区的第一栅极结构的该另一开口中；以及

以另一湿蚀刻工艺移除该第二区的该硬掩模层。

13.如权利要求12所述的集成电路的制造方法，其中形成该包含硅氧烷高分子的硬掩模层的步骤包括形成一具有环状官能基的旋转涂布玻璃层，该环状官能基包含双键，且形成该具有环状官能基的该旋转涂布玻璃层的步骤包括使用一芳香族化合物以形成该环状官能基。