[发明专利]一种太阳能电池单晶硅片的制造方法无效

专利信息
申请号: 201010194517.0 申请日: 2010-06-04
公开(公告)号: CN101851779A 公开(公告)日: 2010-10-06
发明(设计)人: 李金甫;屠勇勇;肖冀;季炯 申请(专利权)人: 浙江芯能光伏科技有限公司
主分类号: C30B15/00 分类号: C30B15/00;C30B29/06
代理公司: 浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100 代理人: 吴关炳
地址: 314400 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 太阳能电池 单晶硅 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种太阳能电池单晶硅片的制造方法,依次包括准备、配料、拉棒和切割步骤,所述拉棒步骤包括熔化、挥发、种晶、缩颈、放肩、拉晶、收尾和冷却过程;其特征在于,其中,

(1)在所述配料步骤中,采取以原生多晶硅为主原料并掺硼母合金的配方,或者以原生多晶硅为主原料配以循环料的配方;

(2)在所述拉棒步骤中,控制坩埚转速为1rpm~8rpm以降低硅熔融液的氧浓度,控制晶棒转速为3rpm~12rpm以改善生长晶棒中氧的径向分布,并控制晶棒拉速为0.8mm/min~3mm/min。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池单晶硅片的制造方法,其特征在于,在所述配料步骤中,所述掺硼母合金的配方以质量份计为:原生多晶硅100份,电阻率为0.0015Ω·cm硼母合金0.22份~0.24份。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池单晶硅片的制造方法,其特征在于,在所述配料步骤中,所述配以循环料的配方以质量百分计为:原生硅30%~40%,循环料60%~70%。

4.根据权利要求1至3之任意一项所述的太阳能电池单晶硅片的制造方法,其特征在于,在所述拉棒步骤中,挥发过程控制所述坩埚转速为5rpm~8rpm;拉晶过程控制所述坩埚转速为6rpm~8rpm,控制所述晶棒转速为10rpm~12rpm并控制所述晶棒拉速为0.8mm/min~1.2mm/min;收尾过程控制所述坩埚转速为1rpm~5rpm,控制所述晶棒转速为3rpm~10rpm并控制所述晶棒拉速为1.2mm/min~3mm/min。

5.根据权利要求4所述的太阳能电池单晶硅片的制造方法,其特征在于,在所述拉棒步骤中,挥发过程控制所述坩埚转速为6rpm;拉晶过程控制所述坩埚转速为8rpm,控制所述晶棒转速为12rpm并控制所述晶棒拉速为1.1mm/min;收尾过程控制所述坩埚转速为2rpm,控制所述晶棒转速为5rpm并控制所述晶棒拉速为2.5mm/min。

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