[发明专利]一种太阳能电池单晶硅片的制造方法无效
申请号: | 201010194517.0 | 申请日: | 2010-06-04 |
公开(公告)号: | CN101851779A | 公开(公告)日: | 2010-10-06 |
发明(设计)人: | 李金甫;屠勇勇;肖冀;季炯 | 申请(专利权)人: | 浙江芯能光伏科技有限公司 |
主分类号: | C30B15/00 | 分类号: | C30B15/00;C30B29/06 |
代理公司: | 浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100 | 代理人: | 吴关炳 |
地址: | 314400 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 单晶硅 制造 方法 | ||
技术领域
本发明属于绿色能源太阳能电池技术领域,特别是涉及一种高效能太阳能电池的单晶硅片的制造方法。
背景技术
太阳能是一种取之不尽、用之不竭的绿色能源。太阳能电池是太阳能光伏发电系统的主要组件,其中单晶硅太阳能电池是目前发展最快的一种太阳能电池。单晶硅片的品质直接影响着单晶硅太阳能电池的质量,提高单晶硅片的品质是生产高效能太阳能电池的前提。目前,国内外普遍采用传统直拉生长法生产单晶硅,然后经切割制成单晶硅片。研究表明,单晶硅太阳能电池衰减高的根源在于氧,氧与硼结合形成了硼氧复合体是导致衰减的罪魁祸首。虽然直拉生长法生产工艺比较成熟,成品率也较高,而且生产成本相对较低,但该方法生产的单晶硅氧含量过高且分布不均,直接导致所制成的单晶硅太阳能电池质量不佳,特别是其光电转换效率低、衰减高。
发明内容
本发明针对上述现有技术存在的缺陷,提出了一种生产高效能太阳能电池单晶硅片的方法,由该方法生产的单晶硅片氧含量低且分布均匀,所制成的单晶硅太阳能电池质量上佳,光电转换效率高、衰减低。
本发明解决技术问题所采取的技术方案是:一种太阳能电池单晶硅片的制造方法,依次包括准备、配料、拉棒和切割步骤,所述拉棒步骤包括熔化、挥发、种晶、缩颈、放肩、拉晶、收尾和冷却过程;其中,
(1)在所述配料步骤中,采取以原生多晶硅为主原料并掺硼母合金的配方,或者以原生多晶硅为主原料配以循环料的配方;
(2)在所述拉棒步骤中,控制坩埚转速为1rpm~8rpm以降低硅熔融液的氧浓度,控制晶棒转速为3rpm~12rpm以改善生长晶棒中氧的径向分布,并控制晶棒拉速为0.8mm/min~3mm/min。
作为一种优选,在所述配料步骤中,所述掺硼母合金的配方以质量份计为:原生多晶硅100份,电阻率为0.0015Ω·cm硼母合金0.22份~0.24份。
作为一种优选,在所述配料步骤中,所述配以循环料的配方以质量百分计为:原生硅30%~40%,循环料60%~70%。
作为一种优选,在所述拉棒步骤中,挥发过程控制所述坩埚转速为5rpm~8rpm;拉晶过程控制所述坩埚转速为6rpm~8rpm,控制所述晶棒转速为10rpm~12rpm并控制所述晶棒拉速为0.8mm/min~1.2mm/min;收尾过程控制所述坩埚转速为1rpm~5rpm,控制所述晶棒转速为3rpm~10rpm并控制所述晶棒拉速为1.2mm/min~3mm/min。
作为进一步的优选,在所述拉棒步骤中,挥发过程控制所述坩埚转速为6rpm;拉晶过程控制所述坩埚转速为8rpm,控制所述晶棒转速为12rpm并控制所述晶棒拉速为1.1mm/min;收尾过程控制所述坩埚转速为2rpm,控制所述晶棒转速为5rpm并控制所述晶棒拉速为2.5mm/min。
本发明所述的循环料是指在拉晶过程中,或拉晶后单晶硅棒加工成单晶硅片过程中所产生的边角料,如:头尾料,埚底料、提肩料、边片料及一些碎片等。
具体地说,本发明所提供的一种太阳能电池单晶硅片的制造方法,其包括准备、配料、拉棒和切片步骤,所述拉棒步骤包括熔化、挥发、种晶、缩颈、放肩、拉晶、收尾和冷却过程。所述准备步骤包括原料的准备和设备的准备,其中主要对原生多晶硅进行清洗,除去金属等杂质,同时单晶炉进行整理,完成装料前的准备。
所述配料步骤,采取以原生多晶硅为主原料并掺硼母合金的配方,或者以原生多晶硅为主原料配以循环料的配方;将配方原料装载到单晶炉的石英坩埚中。
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