[发明专利]具有跨接电极的发光二极管模组及其制造方法无效
申请号: | 201010194668.6 | 申请日: | 2010-06-07 |
公开(公告)号: | CN102270652A | 公开(公告)日: | 2011-12-07 |
发明(设计)人: | 林志胜;郑舜鸿 | 申请(专利权)人: | 晶发光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L21/782 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;王璐 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 电极 发光二极管 模组 及其 制造 方法 | ||
1.一种具有跨接电极的发光二极管模组,包括:一个基板、彼此间隔地位于该基板上的一个第一发光二极管与一个第二发光二极管、一个绝缘层以及一个跨接电极,该第一发光二极管及该第二发光二极管都包括一个发光本体、一个n电极以及一个p电极,所述发光本体包括左右相连接的一个第一区块与一个第二区块,而且该第一发光二极管的第一区块相邻于该第二发光二极管的第二区块,所述第一区块都包括一个n侧顶面,所述第二区块都包括一个p侧顶面,其特征在于,
该第一发光二极管的第一区块还包括一个由该n侧顶面的一端朝该基板延伸的第一阶梯面,该第一阶梯面具有二个由上往下逐渐朝该第二发光二极管的方向斜向延伸的第一斜面部,以及一个连接在所述第一斜面部间的第一连接面部,该第二发光二极管的第二区块还包括一个由该p侧顶面的一端朝该基板延伸的第二阶梯面,该第二阶梯面具有至少二个由上往下逐渐朝该第一发光二极管的方向斜向延伸的第二斜面部,以及至少一个连接在所述第二斜面部间的第二连接面部,所述n电极与所述p电极分别设置在所述n侧顶面及所述p侧顶面上;
该绝缘层顺着该第一阶梯面及该第二阶梯面的阶梯状表面而披覆,且该绝缘层的两侧分别接触该第一发光二极管的n电极及该第二发光二极管的p电极,该跨接电极披覆在该绝缘层的表面,且该跨接电极的两侧分别连接该第一发光二极管的n电极及该第二发光二极管的p电极。
2.根据权利要求1所述的具有跨接电极的发光二极管模组,其特征在于,所述第一斜面部与水平面间的夹角为θ1,且15度≤θ1≤58度,所述第二斜面部与水平面间的夹角为θ2,且15度≤θ2≤58度。
3.根据权利要求1所述的具有跨接电极的发光二极管模组,其特征在于,所述p侧顶面的高度大于所述n侧顶面的高度,所述第二斜面部的数量为三个,所述第二连接面部的数量为二个并且分别连接在相邻的第二斜面部间。
4.一种如权利要求1所述的具有跨接电极的发光二极管模组的制造方法,包括:
步骤一:在该基板上制作一个初始本体;
步骤二:对该初始本体作蚀刻处理,使该初始本体形成一个顶面位置较低的连接区块,以及二个分别连接在该连接区块的左右两侧且顶面位置较高的区块,所述顶面位置较高的区块分别成为该第一发光二极管的第二区块及该第二发光二极管的第一区块;其特征在于,该具有跨接电极的发光二极管模组的制造方法还包括:
步骤三:将该初始本体的连接区块的顶部的局部部位蚀刻移除,以形成该第一发光二极管的其中一个第一斜面部以及该第二发光二极管的其中一个第二斜面部及该第二连接面部;
步骤四:再度将该连接区块的局部部位蚀刻移除,使该基板的局部表面露出,该初始本体进而形成二个左右间隔的所述发光本体,并形成该第一发光二极管的位于下方的第一斜面部与该第一连接面部,以及该第二发光二极管的位于下方的第二斜面部;
步骤五:利用真空镀膜方式沉积该绝缘层;及
步骤六:形成该第一发光二极管及该第二发光二极管的n电极、p电极以及该跨接电极。
5.根据权利要求4所述的具有跨接电极的发光二极管模组的制造方法,其特征在于,所述第一斜面部与水平面间的夹角为θ1,且15度≤θ1≤58度,所述第二斜面部与水平面间的夹角为θ2,且15度≤θ2≤58度。
6.根据权利要求4所述的具有跨接电极的发光二极管模组的制造方法,其特征在于,步骤五是利用等离子辅助化学气相沉积方式沉积二氧化硅制成的绝缘层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的