[发明专利]具有跨接电极的发光二极管模组及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种发光二极管模组及其制造方法，特别涉及一种具有跨接电极的发光二极管模组及其制造方法。

背景技术

现有的发光二极管(LED)模组包括多个阵列式排列的发光二极管，利用跨接电极连接相邻的发光二极管的电极，使各个发光二极管能够形成电连接。由于相邻的发光二极管间的跨接电路的设计都相同，所以下面只针对模组中的其中二个发光二极管作说明。

如图1所示，发光二极管模组1的一个基板11上的二个发光二极管12都包括：一个发光本体121以及位于该发光本体121的表面的一个p电极122与一个n电极123。所述二个发光二极管12的相向侧面124与该基板11的一顶面111共同界定出一渠道120，该渠道120中填满一绝缘层13，该绝缘层13的表面披覆一个跨接电极14，该跨接电极14用以电连接其中一发光二极管12的n电极123及另一发光二极管12的p电极122，使二个发光二极管12电连接。

该绝缘层13是利用SOG(spin on glass)制程形成，主要是将含有介电材料(通常为SiO₂)的液态溶剂以旋转涂布(spin coating)方式填满在该渠道120中，再经过热处理使溶剂挥发，使该渠道120中只剩下固化的SiO₂介电材料所制成的绝缘层13。

该绝缘层13要填满该渠道120的原因如下：因为所述发光二极管12的侧面124为上下延伸，侧面124的顶部与底部形成较大的高度差，要在一个上下延伸且延伸距离长的表面均匀地披覆膜层并不容易，所以如果要将该绝缘层13’制作成如图2所示的薄膜状，该绝缘层13’位于所述侧面124上的部位将不均匀，而该跨接电极14’的直立部位也难以均匀披覆在该绝缘层13’上，造成发光二极管12操作于小电流时，跨接电极14’可能就无法承受而断裂。

在此情况下，绝缘层13就必需如图1所示填满该渠道120，使该跨接电极14的各部位的高度落差较小，能较均匀地披覆。而填满渠道120的该绝缘层13厚度约为几微米(μm)，此厚度的SiO₂绝缘层13对于波长455纳米(nm)左右的光线的穿透率约为25％至45％，使发光二极管12的侧向出光效率降低，进而降低发光二极管12的整体发光效率。

此外，该绝缘层13必需利用旋转涂布方式成型而不能采用溅镀、蒸镀等真空镀膜方式，因为真空镀膜的速度较慢，如果要镀上几微米厚度的膜层，将耗费过多时间。旋转涂布的薄膜成型速度虽然较快，但缺点是膜厚无法作精确控制，后续还需要通过化学机械研磨(Chemical Mechanical Polishing，简称CMP)将绝缘层13过度突出的部位磨平，而CMP设备造价高昂，因此产生设备成本高的缺失。

发明内容

本发明的目的在于提供一种可提升发光效率，并降低设备成本的具有跨接电极的发光二极管模组及其制造方法。

本发明具有跨接电极的发光二极管模组，包括：一个基板、彼此间隔地位于该基板上的一个第一发光二极管与一个第二发光二极管、一个绝缘层以及一个跨接电极，该第一发光二极管及该第二发光二极管都包括一个发光本体、一个n电极以及一个p电极，所述发光本体包括左右相连接的一个第一区块与一个第二区块，而且该第一发光二极管的第一区块邻近该第二发光二极管的第二区块，所述第一区块都包括一个n侧顶面，所述第二区块都包括一个p侧顶面。

该第一发光二极管的第一区块还包括一个由该n侧顶面的一端朝该基板延伸的第一阶梯面，该第一阶梯面具有二个由上往下逐渐朝该第二发光二极管的方向斜向延伸的第一斜面部，以及一个连接在所述第一斜面部间的第一连接面部，该第二发光二极管的第二区块还包括一个由该p侧顶面的一端朝该基板延伸的第二阶梯面，该第二阶梯面具有至少二个由上往下逐渐朝该第一发光二极管的方向斜向延伸的第二斜面部，以及至少一个连接在所述第二斜面部间的第二连接面部，所述n电极与所述p电极分别设置在所述n侧顶面及所述p侧顶面上。

该绝缘层顺着所述第一阶梯面及第二阶梯面的阶梯状表面而披覆，且该绝缘层的两侧分别接触该第一发光二极管的n电极及该第二发光二极管的p电极，该跨接电极披覆在该绝缘层的表面，且该跨接电极的两侧分别连接该第一发光二极管的n电极及第二发光二极管的p电极。

本发明所述的具有跨接电极的发光二极管模组，所述第一斜面部与水平面间的夹角为θ1，且15度≤θ1≤58度，所述第二斜面部与水平面间的夹角为θ2，且15度≤θ2≤58度。