[发明专利]发光二极管及其制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管，包括一导电衬底、自该导电衬底的一侧表面沿高度方向依次排列的一p型氮化镓层、一发光量子阱层及一n型氮化镓层，其特征在于：所述n型氮化镓层于远离p型氮化镓层的外侧表面上形成一接触面，一透明导电层固定于所述接触面上，至少一电极设置于所述透明导电层上。

2.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述接触面为一光滑的圆弧面，所述至少一电极设置于接触面的最高点。

3.如权利要求2所述的发光二极管，其特征在于：所述接触面自n型氮化镓层外侧表面朝向p型氮化镓层凹陷形成，其凹陷的最大深度为所述n型氮化镓层的厚度的25～50％。

4.如权利要求3所述的发光二极管，其特征在于：所述透明导电层包括一内凹的弧形的连接部，所述连接部覆盖所述接触面。

5.如权利要求3所述的发光二极管，其特征在于：所述n型氮化镓层的厚度为3μm，所述接触面凹陷的最大深度为1.5μm，所述接触面的宽度为800～2000μm、所述支撑面的宽度为160～200μm。

6.如权利要求4所述的发光二极管，其特征在于：所述接触面位于所述n型氮化镓层的所述外侧表面的中部，而使所述n型氮化镓层的所述外侧表面的相对两端形成二肩部，所述每一肩部的外表面具有一支撑面，所述支撑面的宽度为接触面的宽度的4～25％。

7.如权利要求6所述的发光二极管，其特征在于：所述透明导电层进一步包括覆盖所述二支撑面的二安装部，所述透明导电层的连接部位于所述二安装部之间，所述二安装部分别覆盖所述n型氮化镓层的二支撑面。

8.如权利要求7所述的发光二极管，其特征在于：所述发光二极管包括二电极，所述二电极分别位于所述二安装部上。

9.如权利要求2所述的发光二极管，其特征在于：所述接触面自n型氮化镓层外侧表面朝向远离p型氮化镓层的方向凸设形成。

10.如权利要求9所述的发光二极管，其特征在于：所述接触面位于所述n型氮化镓层的所述外侧表面的中部，而使所述n型氮化镓层的所述外侧表面形成中部高、相对两端低的圆弧面。

11.如权利要求10所述的发光二极管，其特征在于：所述透明导电层为一中部高、相对两端低的外凸弧形，其中部覆盖所述接触面的中部、相对两侧覆盖接触面的相对两侧，且所述至少一电极设置于透明电极中部的外表面。

12.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述发光二极管进一步包括一夹设于所述导电衬底及p型氮化镓层之间的一反射层。

13.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述透明导电层的厚度为0.01～0.2μm，且由铟锡氧化物或镍金混合物制成。

14.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述导电衬底由硅、铜或其他导热性和导电性好的材料制成。

15.一种发光二极管的制造方法，包括以下步骤：

提供一第一衬底，并于所述第一衬底的一侧表面、沿所述第一衬底的高度方向依次向外延伸形成一n型氮化镓层、一发光量子阱层、一p型氮化镓层；

于所述p型氮化镓层的外侧表面、沿其高度方向形成一第二衬底；

剥离所述第一衬底，使n型氮化镓层外露，并于外露的n型氮化镓层的外表面上形成一接触面；

提供一透明导电层，并使所述透明导电层位于所述接触面上；

提供至少一电极，将所述电极固定于所述透明导电层上。

16.如权利要求15所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：所述接触面为一光滑的、圆弧形的接触面，所述至少一电极设置于圆弧形的最高点。

17.如权利要求15所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：所述n型氮化镓层、发光量子阱层、p型氮化镓层通过金属有机化合物化学气相淀积形成于所述第一衬底上。

18.如权利要求15所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：形成所述第二衬底前，于所述p型氮化镓层远离n型氮化镓层一侧的表面上，通过等离子体化学气相沉积形成一反射层。

19.如权利要求18所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：所述发射层为钛、铝或金制成的金属层。

20.如权利要求15所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：所述第二衬底为极性与所述透明导电层相反的另一导电层。