[发明专利]发光二极管及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种光电元件及其制造方法，特别是指一种发光二极管及其制造方法。

背景技术

传统的发光二极管包括一有源区、设置于有源区相对两侧的一n型氮化镓(n-GaN)层及一p型氮化镓(p-GaN)层，其中，n型氮化镓(n-GaN)层相对有源区的外侧上设置有一n型电极，p型氮化镓(p-GaN)层相对有源区的另一外侧上设置有一p型电极。n型电极及p型电极通电后，使n型氮化镓(n-GaN)层与p型氮化镓(p-GaN)层之间产生电势，使电子自n型电极通过n型氮化镓(n-GaN)层流向p型氮化镓(p-GaN)层并与p型氮化镓(p-GaN)层内的电洞结合。因电子倾向于二电极之间的最短或较低电阻值的路径流动，但如果所述流动路径面积发生减缩或分布不够均匀时会导致电流拥挤现象，造成局部发热过大，降低了发光二极管的寿命。

发明内容

有鉴于此，有必要提供一种性能稳定、发光效率高的发光二极管及制造该发光二极管的方法。

一种发光二极管，包括一导电衬底、自该导电衬底一侧表面沿高度方向依次排列的一p型氮化镓层、一发光量子阱层及一n型氮化镓层，所述n型氮化镓层远离p型氮化镓层的外侧表面上形成一接触面，一透明导电层固定于所述接触面上，至少一电极设置于所述透明导电层上。

一种发光二极管的制造方法，包括以下步骤：

提供一第一衬底，并于所述第一衬底一侧表面、沿所述第一衬底的高度方向依次向外延伸形成一n型氮化镓层、一发光量子阱层、一p型氮化镓层；

于所述p型氮化镓层外侧表面、沿其高度方向形成一第二衬底；

剥离所述第一衬底，使n型氮化镓层外露，并于外露的n型氮化镓层的外表面上形成一接触面；

提供一透明导电层，并使所述透明导电层位于所述接触面上；

提供至少一电极，将所述电极固定于所述透明导电层上。

本发明中，因为电子在透明导电层与导电衬底之间流动的过程，一部分自电极直接垂直朝向导电衬底流动，如此路径最短，另一部分则沿整个透明导电层的表面移动然后再垂直向下流动。因为透明导电层具有较低电阻值，沿整个透明导电层表面移动的电子虽然增加一段移动路径，但总体电阻值仍维持特定的。由于流动路径面积扩张至透明导电层的整个表面而向下流动，故可以避免了电流拥挤现象的发生，从而提高发光二极管的可靠性。再者，透明导电层及导电衬底分别位于发光量子阱层的相对两侧，在制造过程中，无需蚀刻掉部分的发光量子阱层而使部分透明导电层或导电衬底外露，相对于现有技术而言，增强了发光二极管的发光效率。

附图说明

图1为本发明一实施例中发光二极管的剖面示意图。

图2为图1的发光二极管制造过程中，一第一衬底与一磊晶层结合的剖面示意图。

图3为一反射层形成于图2中磊晶层后的剖面示意图。

图4为一第二衬底形成于图3中反射层后的剖面示意图。

图5为图4中第一衬底去除后的剖面示意图。

图6为图5中n型氮化镓层表面形成一接触面后的剖面示意图。

图7为一透明导电层形成于图6中接触面后的剖面示意图。

图8为本发明另一实施例中发光二极管的剖面示意图。

主要元件符号说明

导电衬底       10

反射层         20

p型氮化镓层    30

发光量子阱层   40

n型氮化镓层    50

凹陷部              51

凸出部              51a

肩部                53

连接面              54

透明导电层          60、60a

安装部              61

连接部              63

电极                70、90

蓝宝石衬底          80

接触面              512、512a

支撑面              532

具体实施方式

本发明一实施例中的发光二极管的制造方法包括以下步骤：

一种发光二极管的制造方法，包括以下步骤：

提供一第一衬底，并于所述第一衬底的一侧表面、沿所述第一衬底的高度方向依次向外延伸形成一n型氮化镓层、一发光量子阱层、一p型氮化镓层；