[发明专利]半导体器件和用于制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

基板；

层间绝缘膜，所述层间绝缘膜被提供在所述基板的上方，

由被提供在互连沟槽中的金属膜组成的互连和由被提供在耦接到所述互连沟槽的连接孔中的金属膜组成的栓塞，所述互连和所述栓塞被提供在所述层间绝缘膜中；

第一侧壁，所述第一侧壁被提供在所述连接孔的侧表面的上方；以及

第二侧壁，所述第二侧壁被提供在所述互连沟槽的侧表面的上方，

其中所述连接孔的侧表面的底部附近的所述第一侧壁的厚度大于所述互连沟槽的侧表面的底部附近的所述第二侧壁的厚度。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一侧壁具有多层结构。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第二侧壁的上部的横截面几何形状具有角。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中所述第一侧壁的上部的外周成锥形。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第二侧壁的上部的横截面几何形状部分地具有角。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中所述第一侧壁的上部和所述第二侧壁的上部分别成锥形。

7.根据权利要求5所述的半导体器件，其中所述第一侧壁的一部分和所述第二侧壁的一部分共用。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述连接孔和所述互连沟槽被形成为其间是无缝的。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述层间绝缘膜包括第一层间绝缘膜和被提供在所述第一层间绝缘膜的上方的第二层间绝缘膜，

其中所述连接孔被提供在所述第一层间绝缘膜中，并且

其中所述互连沟槽被提供在所述第二层间绝缘膜中。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中所述第二层间绝缘膜由多孔绝缘膜组成。

11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中所述多孔绝缘膜是包含Si和O作为组成元素的多孔膜，或者包含Si、C、O以及H作为组成元素的多孔膜。

12.根据权利要求9所述的半导体器件，其中所述第一层间绝缘膜是包含Si、C、O以及H作为组成元素的膜。

13.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一侧壁由包含SiC、SiOC、SiO₂或者SiCN的材料组成。

14.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第二侧壁由包含SiC、SiOC、SiO₂或者SiCN的材料组成。

15.一种用于制造半导体器件的方法，包括：

在基板的上方形成层间绝缘膜；

在所述层间绝缘膜中形成互连沟槽和耦接到所述互连沟槽的连接孔；

在所述连接孔的侧表面的上方形成第一侧壁并且在所述互连沟槽的侧表面的上方形成第二侧壁；以及

在所述互连沟槽中和在所述连接孔中形成金属膜，

其中所述形成第一和第二侧壁包括形成所述侧壁，使得所述连接孔的侧表面的底部附近的所述第一侧壁的厚度大于所述互连沟槽的侧表面的底部附近的所述第二侧壁的厚度。

16.根据权利要求15所述的用于制造半导体器件的方法，其中形成第一和第二侧壁的所述步骤包括：

在所述层间绝缘膜中形成所述连接孔；

在所述连接孔的内部形成第一绝缘膜，并且然后执行回蚀以将所述第一绝缘膜保留在所述连接孔的侧表面的上方；

在所述层间绝缘膜中形成耦接到所述连接孔的所述互连沟槽；

在所述连接孔的内部和在所述互连沟槽的内部形成第二绝缘膜；以及

执行回蚀以将所述第二绝缘膜保留在所述连接孔的所述侧表面的所述第一绝缘膜的上方和所述互连沟槽的侧表面的上方，以在所述连接孔的所述侧表面的上方形成包括所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜的所述第一侧壁，并且在所述互连沟槽的所述侧表面的上方形成包括所述第二绝缘膜的所述第二侧壁。

17.根据权利要求15所述的用于制造半导体器件的方法，其中所述连接孔和所述互连沟槽被形成为其间是无缝的。