[发明专利]晶片双流体清洗装置

权利要求书

1.一种晶片双流体清洗装置，其特征在于设有摆动竖杆(10)，摆动竖杆(10)设有净化空气入口(10-1)、去离子水入口(9-1)和气雾喷口(9-2)；摆动竖杆(10)和摆动装置相连。

2.根据权利要求1所述的晶片双流体清洗装置，其特征在于所述的摆动竖杆(10)结构为：去离子水入口(9-1)和气雾喷口(9-2)设在喷嘴(9)上，喷嘴(9)通过管螺纹与净化空气入口管连接。

3.根据权利要求1所述的晶片双流体清洗装置，其特征在于所述的摆动装置的结构为：具有和竖喷水管(10)相连的摆动横杆(11)，摆动横杆(11)和竖转轴(8)相连，竖转轴(8)通过轴承和轴承座(4)相连，竖转轴(8)的轴端通过联轴节(3)和动力摆动机构相连。

4.根据权利要求3所述的晶片双流体清洗装置，其特征在于所述的动力摆动机构为摆动气缸(1)。

5.根据权利要求4所述的晶片双流体清洗装置，其特征在于所述的摆动气缸(1)通过安装板与轴承座(4)相连。

6.根据权利要求3所述的晶片双流体清洗装置，其特征在于所述的竖转轴(8)为阶梯轴，通过下端的两个角接触球轴承(6)安装在在轴承座(4)中.

7.根据权利要求3所述的晶片双流体清洗装置，其特征在于所述的摆动横杆(11)上设有竖喷水管(10)上下位置可调结构。