[发明专利]半导体器件以及制造所述半导体器件的方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

半导体基板；以及

多层配线结构，被布置在所述半导体基板上，

所述多层配线结构包括：

多个第一导电线；

绝缘膜，覆盖所述多个第一导电线；以及

第二导电线，被布置在所述绝缘膜上，从而与所述多个第一导电线交叉，

其中，所述绝缘膜在所述多个第一导电线与所述第二导电线彼此交叉的多个区域的至少一些区域中具有间隙，以及

所述间隙在沿着所述第二导电线的方向的宽度不大于所述第一导电线的宽度。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述间隙在沿着所述第一导电线的方向的宽度不大于所述第二导电线的宽度。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述半导体器件包括光电转换器件，以及

所述半导体基板包括光电转换器。

4.一种制造半导体器件的方法，该半导体器件具有半导体基板，所述方法包括：

第一步骤，在所述半导体基板之上形成多个第一导电线；

第二步骤，形成绝缘膜，以覆盖所述多个第一导电线；

第三步骤，在所述绝缘膜中以不大于所述第一导电线的宽度的宽度形成多个沟槽，所述多个沟槽使得所述多个第一导电线的上表面的相应部分露出；

第四步骤，用第一绝缘体填充所述多个沟槽；

第五步骤，在所述绝缘膜和所述第一绝缘体上形成第二导电线，从而与所述多个第一导电线交叉；

第六步骤，在所述第五步骤之后，从各个沟槽移除所述第一绝缘体；以及

第七步骤，用第二绝缘体填充所述多个沟槽的、当在与所述半导体基板的表面垂直的方向观看时与所述第二导电线不重叠的部分，从而留下在所述多个沟槽中所述多个第一导电线与所述第二导电线彼此交叉的多个区域中的至少一些区域，作为间隙，

其中，所述间隙在沿着所述第二导电线的方向的宽度不大于所述第一导电线的宽度。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，在露出所述第一绝缘体的上表面的、当在与所述半导体基板的表面垂直的方向观看时不与所述第二导电线重叠的部分时，在第一绝缘体相对于所述绝缘膜和所述第二导电线的蚀刻选择性变高的条件下，通过执行各向同性蚀刻来从所述多个沟槽移除所述第一绝缘体。

6.根据权利要求4所述的方法，其中，

所述第五步骤包括以下步骤：

在所述绝缘膜和所述第一绝缘体上形成第二绝缘膜；

在所述第二绝缘膜中形成第二沟槽，以与所述多个第一导电线交叉；以及

用导体填充所述第二沟槽，以形成与所述第二沟槽对应的所述第二导电线，

所述第六步骤包括以下步骤：

在所述第二绝缘膜中形成多个孔，以露出所述第一绝缘体的上表面的、当在与所述半导体基板的表面垂直的方向观看时不与所述第二导电线重叠的部分；以及

在第一绝缘体相对于所述绝缘膜和所述第二导电线的蚀刻选择性变高的条件下，通过经由所述多个孔执行各向同性蚀刻来从所述多个沟槽移除所述第一绝缘体，以及

在所述第七步骤中，经由所述多个孔用所述第二绝缘体填充所述多个沟槽。

7.根据权利要求4所述的方法，其中，

所述半导体器件包括光电转换器件，以及

所述半导体基板包括光电转换器。