[发明专利]包括具有互相耦合的晶体管的集成电路的电子器件

权利要求书

1.一种包括集成电路的电子器件，包括：

隐埋传导区；

半导体层，其覆盖在所述隐埋传导区之上，其中所述半导体层具有主表面和相对的表面，以及所述隐埋传导区的位置离所述相对的表面比离所述主表面更近；

所述半导体层中的第一掺杂区，其中：

所述第一掺杂区的位置离所述主表面比离所述相对的表面更近；以及

第一晶体管的第一载流电极包括所述第一掺杂区，其中所述第一载流电极为源极或发射极并被电连接到所述隐埋传导区；以及

所述半导体层中的第二掺杂区，其中：

所述第二掺杂区的位置离所述主表面比离所述相对的表面更近；以及

第二晶体管的第二载流电极包括所述第二掺杂区，其中所述第二载流电极为漏极或集电极并被电连接到所述隐埋传导区。

2.如权利要求1所述的电子器件，还包括第一垂直传导结构，所述第一垂直传导结构延伸通过所述半导体层，并被电连接到所述隐埋传导区和所述第一掺杂区或所述第二掺杂区。

3.如权利要求2所述的电子器件，还包括第二垂直传导结构，所述第二垂直传导结构延伸通过所述半导体层，并被电连接到所述隐埋传导区和所述第二掺杂区，其中：

所述第一垂直导体被电连接到所述隐埋传导区和所述第一掺杂区；

所述第一掺杂区与所述第二掺杂区间隔开；以及

所述第一垂直传导结构与所述第二垂直传导结构间隔开。

4.如权利要求3所述的电子器件，还包括第二掺杂半导体区，所述第二掺杂半导体区具有与所述隐埋传导区相比相反的传导类型，其中所述第二掺杂半导体区延伸通过所述半导体层。

5.如权利要求3或4所述的电子器件，其中所述电子器件还包括第一绝缘衬垫，所述第一绝缘衬垫位于所述第二垂直传导区和所述半导体层之间。

6.一种形成包括集成电路的电子器件的工艺，包括以下步骤：

提供包括在隐埋传导区之上的第一半导体层的基底，其中所述第一半导体层具有主表面和相对的表面，以及所述隐埋传导区的位置离所述相对的表面比离所述主表面更近；

形成在所述半导体层中且沿着所述第一半导体层的所述主表面的第一掺杂区，其中所述第一掺杂区为第一晶体管的第一载流电极的部分，以及所述第一载流电极为源极或发射极；

形成延伸通过所述第一半导体层的第一垂直传导结构，其中，在完成的器件中，所述隐埋传导区、所述第一垂直传导结构以及所述第一掺杂区相互电连接；

形成在所述第一半导体层中且沿着所述第一半导体层的所述主表面的第二掺杂区，其中所述第二掺杂区为第二晶体管的第二载流电极的部分，以及所述第二载流电极为漏极或集电极；以及

形成延伸通过所述第一半导体层的第二垂直传导结构，其中，在完成的器件中，所述隐埋传导区、所述第二垂直传导结构以及所述第二掺杂区相互电连接。

7.如权利要求6所述的工艺，还包括以下步骤：

在形成所述第一垂直传导结构之前，形成通过所述第一半导体层的沟槽；

沿着所述沟槽的侧壁形成掺杂半导体区，其中所述掺杂半导体区具有与所述隐埋传导区相比相反的传导类型和比所述第一半导体层更高的掺杂浓度；以及

在形成所述第一垂直传导区之前形成所述沟槽中的绝缘衬垫。

8.如权利要求7所述的工艺，其中形成所述掺杂半导体区的步骤包括：

沿着所述第一沟槽的被暴露表面沉积第二半导体层；

各向异性地蚀刻所述第二半导体层以移除所述第二半导体层沿着所述沟槽的底部覆盖的部分，并暴露所述隐埋传导区的一部分。

9.如权利要求1、2、3、4或5所述的电子器件或如权利要求6、7或8所述的工艺，其中所述电子器件还包括水平定向的掺杂区，所述水平定向的掺杂区的位置与所述主表面和所述第二掺杂区相邻，其中所述水平定向的掺杂区为所述第二晶体管的漂移区。

10.如权利要求9所述的电子器件，其中所述第一晶体管和所述第二晶体管中的每一个为功率晶体管。